发明专利已授权

液相法生长碳化硅中碳浓度边界层获取方法、装置和产品

📄 申请号：CN202411431451.0 📄 发布日：2026/07/24

著录项目信息

申请日

2024-10-14

公开号

CN119249756B

公开日

2025-06-03

申请人

西安交通大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G06F30_20

IPC 分类号

G06F30_20 , G06F30_10 , G16C20_10 , G16C10_00 , G06F17_11 , C30B29_36 , C30B11_00 , G06F111_10 ,

技术画像

所属领域

碳化硅晶体生长碳化硅晶体生长液相法晶体生长碳浓度边界层检测

应用场景

碳化硅单晶制造, 半导体衬底制备, 功率半导体器件, 新能源汽车电力电子, 5G通信器件

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摘要

本申请提供了一种液相法生长碳化硅中碳浓度边界层获取方法、装置和产品，涉及单晶生长技术领域，包括：根据液相法生长碳化硅系统的结构信息，建立几何模型，进行计算网格划分；基于构建的数值计算模型，得到多组模拟结果；根据每组模拟结果中各计算网格处的碳浓度值，确定每列计算网格的碳浓度边界层厚度与离心距离之间的第一关系函数，离心距离是指该列计算网格与固液界面的中心轴之间的垂直距离；根据第一关系函数，确定电磁感应加热频率、碳浓度边界层厚度与离心距离之间的第二关系函数；从第二关系函数中确定目标碳浓度边界层的分布情况，根据目标碳浓度边界层的分布情况对液相法生长碳化硅系统的结构进行优化。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种基于人工智能的环境检测预警方法以及系统

当前第 / 件

液相法生长碳化硅的多场耦合网格划分方法、装置和产品

同领域国内专利 · IPC: (G06F30_20)

G06F30_00 G06F30_10 G06F30_12 G06F30_13 G06F30_15 G06F30_17 G06F30_18 G06F30_20 G06F30_22 G06F30_23 G06F30_25 G06F30_27 G06F30_28 G06F30_30 G06F30_31 G06F30_32 G06F30_323 G06F30_327 G06F30_33 G06F30_3308 G06F30_331 G06F30_3315 G06F30_3323 G06F30_337 G06F30_34 G06F30_36 G06F30_367 G06F30_373 G06F30_39 G06F30_392 G06F30_394 G06F30_396 G06F30_398 覆盖33个领域

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