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本发明提供了一种液相法生长碳化硅晶体的生长炉的设计方法和生长炉，涉及晶体生长技术领域，本发明实施例通过获取生长炉的坩埚中熔体的温度分布和熔体的流动方向；在温度分布指示在从熔体的底部到熔体的顶部所在方向上熔体的温度逐渐升高，和/或流动方向指示熔体从碳化硅晶体的边缘向碳化硅晶体的中心流动的情况下，禁用生长炉的侧加热器；在侧加热器和底加热器之间的空隙处设置隔热部件，隔热部件用于阻挡坩埚通过空隙散热。本发明实施例不仅可以提高碳化硅晶体的生长速率，还有利于提高碳化硅晶体生长过程的稳定性，减少晶体内部缺陷的产生，进而提高碳化硅晶体的晶体质量。

本申请提供了一种液相法生长碳化硅中碳浓度边界层获取方法、装置和产品，涉及单晶生长技术领域，包括：根据液相法生长碳化硅系统的结构信息，建立几何模型，进行计算网格划分；基于构建的数值计算模型，得到多组模拟结果；根据每组模拟结果中各计算网格处的碳浓度值，确定每列计算网格的碳浓度边界层厚度与离心距离之间的第一关系函数，离心距离是指该列计算网格与固液界面的中心轴之间的垂直距离；根据第一关系函数，确定电磁感应加热频率、碳浓度边界层厚度与离心距离之间的第二关系函数；从第二关系函数中确定目标碳浓度边界层的分布情况，根据目标碳浓度边界层的分布情况对液相法生长碳化硅系统的结构进行优化。

本申请提供了一种液相法生长碳化硅的坩埚内壁面形状确定方法和装置，涉及单晶生长技术领域，所述方法包括：获取液相法生长碳化硅系统的坩埚内壁面的形状参数以及结构信息；形状参数包括：坩埚内壁面的内径和圆角半径；建立几何模型，设置传热流动控制方程和组分输运控制方程，得到各组形状参数所对应的数值计算模型；模拟传热流动与组分输运过程，得到各个数值计算模型所对应的模拟结果；根据模拟结果，计算第一指标参数、第二指标参数和第三指标参数；第一指标参数为晶体生长速度最大不均匀率，第二指标参数为单位时间内晶体总析出量，第三指标参数为晶体生长速度标准差；根据第一、第二和第三指标参数，确定最佳形状参数。

本申请提供了一种液相法生长碳化硅的电磁感应频率确定方法、装置和产品，涉及单晶生长技术领域，该方法为：根据液相法生长碳化硅系统，建立电磁感应加热数值模型和数值传热模型；保持电磁感应加热电流不变，将电磁感应频率按照第一梯度依次增大，模拟不同电磁感应频率下的电磁感应加热过程，得到第一模拟结果；根据电磁感应加热效率，确定感应加热高效区间；电磁感应加热效率表示，核心部件的感应热量在总感应热量中的占比；保持坩埚底部中心处温度为目标温度，模拟感应加热高效区间内，按照第二梯度依次增大的电磁感应频率的电磁感应加热过程，得到第二模拟结果；将电磁感应加热效率最高值所对应的电磁感应频率，确定为最佳电磁感应频率。

本实用新型提供一种用于消除碳化硅晶体边缘环形形貌的保温装置，包括：上撑板、连接孔以及加热内衬，所述上撑板右侧内部设有连接孔，所述上撑板左侧设有支撑板，所述支撑板右侧设有红外检测头，所述支撑板下端设有底座，所述连接孔下端设有伸缩柱，所述伸缩柱下端设有上座，所述上座下侧设有放置槽，所述放置槽外侧设有下座，所述下座左右两侧均设有一组夹臂，所述夹臂外侧设有侧夹座，所述下座下端设有旋座，与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：通过使用上撑板以及支撑板，能够对上座进行支撑，通过使用两组夹臂，能够对下座稳定性进行夹持，通过使用红外检测头，能够检测放置槽内部碳化硅晶体放置是否正确。