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本发明实施例提供了一种熔体法晶体生长的外加行波磁场控制方法，其中，本发明实施例所提供的熔体法晶体生长的外加行波磁场控制方法，先基于反映晶体生长炉内部件屏蔽作用强弱的屏蔽因子对晶体生长炉模型进行简化，再基于该简化后的晶体生长炉模型调整电流频率，能够更简便地确定出洛伦兹力与炉壁间隙、电流频率之间的关系曲线，进而可以基于该关系曲线结合实际的晶体生长炉的炉壁间隙施加使得熔体中洛伦兹力达到最大值的目标电流频率，从而实现产生同等大小的洛伦兹力所需的通入电流较小，达到控制熔体流动及节能降耗的目的。

本发明公开了一种Cs2Mg3(SO4)4非线性光学晶体及其制备方法与应用，其是以Cs2SO4和含Mg的硫酸盐为原料，经烧结制得Cs2Mg3(SO4)4微晶；或者将Cs2SO4和含Mg的硫酸盐混合熔融，制得Cs2Mg3(SO4)4非线性光学晶体。本发明中所得Cs2Mg3(SO4)4属于正交晶系P212121空间群，结构中MgO6多面体与SO4四面体共顶点连接形成三维框架，且Cs+离子填在框架孔洞中。本发明获得了Cs2Mg3(SO4)4的纯相和单晶，其合成方法简单、产率高；该晶体具有较短的紫外截止边、适中的倍频转换效率和良好的生长习性，可用于频率转换、光参量振荡、电光调制和通讯等非线性光学器件。

本发明公开了一种用于晶圆铸块成形的熔炉设备，包括：炉管，所述炉管内部转动安装有熔融盆；调节架，所述调节架移动端转动连接有晶种柱；联动组件，所述联动组件包括连接柱、转动环和侧齿块，两个所述连接柱固定对称连接在转动环底部和熔融盆侧边，多个所述侧齿块环状固定连接在转动环远离炉管一侧的边缘；转动夹持组件，两个所述转动夹持组件对称安装在转动环两侧，所述转动夹持组件包括转轴、齿柱和夹持板，所述转轴通过安装架转动设置在转动环内部，多个所述夹持板环状固定连接在转轴侧边；拉动组件，所述拉动组件安装在转轴和调节架之间。本发明从上方将成型的铸块移出熔炉，使铸块一边进行底端的成型，一边进行上端的冷却。