发明专利 已授权

一种全光谱光电双通道器件及其制备方法和应用

📄 申请号:CN202011556829.1 📄 发布日:2026/05/18

著录项目信息

申请日
2020-12-25
公开号
CN112599646B
公开日
2022-12-16
申请人
惠州学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号

技术画像

应用场景

光通信, 光谱分析, 成像传感, 环境监测, 军事侦察

摘要

本发明属于半导体技术领域。一种全光谱光电双通道器件的制备方法,包括以下步骤:在衬底表面生长AlN薄膜;在AlN薄膜表面蒸镀获得图形化顶电极或阴阳电极;在AlN薄膜和顶电极表面转移一层石墨烯/PMMA复合电极,或在AlN薄膜和阴阳电极表面各转移一层石墨烯/PMMA复合电极,阴阳电极表面的石墨烯/PMMA复合电极间隔设置;将顶电极或阴阳电极表面的PMMA蚀刻去除,即得光电双通道器件。本发明制备方法简单高效,制备而成的双通道器件可同时实现发光特性和光探测特性,器件性能好,光发射范围广,可覆盖紫外到红外波段。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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