发明专利已授权

一种全光谱光电双通道器件及其制备方法和应用 LED二极管/发光二极管/半导体器件/光电二极管LED/光电探测器/电子元器件 /电子元件/军工/通信）

📄 申请号：CN202011556829.1 📄 发布日：2026/09/15

著录项目信息

申请日

2020-12-25

公开号

CN112599646B

公开日

2022-12-16

申请人

惠州学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L33_00

IPC 分类号

H01L33_00 , H01L33_32 , H01L33_42 , H01L31_0224 , H01L31_0304 , H01L31_18 , G01N21_27 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

光通信, 光谱分析, 成像传感, 环境监测, 军事侦察

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摘要

本发明属于半导体技术领域。一种全光谱光电双通道器件的制备方法，包括以下步骤：在衬底表面生长AlN薄膜；在AlN薄膜表面蒸镀获得图形化顶电极或阴阳电极；在AlN薄膜和顶电极表面转移一层石墨烯/PMMA复合电极，或在AlN薄膜和阴阳电极表面各转移一层石墨烯/PMMA复合电极，阴阳电极表面的石墨烯/PMMA复合电极间隔设置；将顶电极或阴阳电极表面的PMMA蚀刻去除，即得光电双通道器件。本发明制备方法简单高效，制备而成的双通道器件可同时实现发光特性和光探测特性，器件性能好，光发射范围广，可覆盖紫外到红外波段。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN112599646B

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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