实用新型已授权

一种防漏气的单晶硅片真空加热装置

📄 申请号：CN202320579347.0 📄 发布日：2026/06/05

著录项目信息

申请日

2023-03-23

公开号

CN219385297U

公开日

2023-07-21

申请人

德兴市意发功率半导体有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

C23C14_22

IPC 分类号

C23C14_22 , C23C14_56 , C23C16_44 , C23C16_46 , F16J15_06 ,

技术画像

所属领域

单晶硅半导体制造设备真空加热设备密封结构加热装置单晶硅

应用场景

半导体晶圆制造, 集成电路制造, 单晶硅片热处理, 真空热处理, 光伏电池片生产

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摘要

本实用新型公开了一种防漏气的单晶硅片真空加热装置，其包括：真空加热箱、电加热管、密封圈和接头，所述真空加热箱顶部设置有密封板，所述密封板上间隔设置有与电加热管一一对应的安装孔，所述安装孔上方设置有安装座，所述安装座顶面内凹设置有与安装孔连通的锥形孔，所述接头设置在安装座上，所述接头顶部外圆上设置有一圈环形的压圈，所述接头外壁设置有与锥形孔对应的圆锥面，所述电加热管设置在接头的下方并向下延伸至真空加热箱中，所述密封圈设置在压圈的底面与安装座的顶面之间。本实用新型所述的防漏气的单晶硅片真空加热装置，通过锥形孔与圆锥面的配合，进行密封，并利用密封圈进行密封效果的加强，避免漏气问题。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种半导体器件无损测试装置

当前第 / 件

一种半导体器件嵌入式定位载具

同领域国内专利 · IPC: (C23C14_22)

C23C14_00 C23C14_02 C23C14_04 C23C14_06 C23C14_08 C23C14_14 C23C14_16 C23C14_18 C23C14_20 C23C14_22 C23C14_24 C23C14_26 C23C14_28 C23C14_30 C23C14_32 C23C14_34 C23C14_35 C23C14_46 C23C14_48 C23C14_50 C23C14_52 C23C14_54 C23C14_56 C23C14_58 覆盖24个领域

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：39 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 已报项目

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