本实用新型公开了一种硅基荧光薄膜生产设备，涉及硅基荧光薄膜生产技术领域。本实用新型包括框架，所述框架的上方安装有罐体，所述罐体的上方和下方分别设置有上极板和下极板，所述上极板和所述下极板之间组合后的空腔为生长腔，所述下极板处电性连接有加热结构，所述下极板的上方设置有多个位于所述生长腔内部的衬底。本实用新型的加热机构采用分区技术可以使得不同衬底区域独立加热，有利于优化生长过程中的温度分布，提高薄膜生长的均匀性和质量，且可以避免整体区域加热导致的能量浪费，只需针对需要加热的区域进行精确控制，有助于提高能源利用率，减少能源消耗，降低实验成本。
📄 2024207896334
📂 C23C16_46
👤 金陵科技学院
📅 2024-04-17
本发明公开了一种化学气相沉积(CVD)法在FeS2表面生长MoS2的冷却系统，以解决CVD法在FeS2基底上生长MoS2过程中对FeS2实时冷却的技术问题。该冷却系统包括冷却器、第Ⅰ外管、第Ⅱ外管、第Ⅲ外管、进水管、回水管、两个管接头、连接法兰、两个连接套筒、两个支腿和FeS2承载架。该冷却系统可以在热反应炉的石英管内对FeS2进行降温冷却，且具有冷却温度可调节、成本低、易于安装等优点。
📄 2018100901523
📂 C23C16_46
👤 太原理工大学
📅 2018-01-30
柿子坊 · 知识产权运营
柿子坊知识产权运营平台