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专利详情
实用新型
已授权
一种半导体高效蒸发台
📄 申请号:CN202220772445.1
📄 发布日:2026/06/05
著录项目信息
申请日
2022-04-06
公开号
CN217265984U
公开日
2022-08-23
申请人
德兴市意发功率半导体有限公司
法律状态
已下证
专利类型
实用新型
主分类号
C23C14_30
IPC 分类号
C23C14_30
,
B08B1_02
,
技术画像
所属领域
半导体制造设备
半导体制造设备
真空蒸发
薄膜沉积
应用场景
集成电路制造, 半导体芯片加工, 光学镀膜, LED芯片制造, 显示面板制造
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摘要
本实用新型公开了一种半导体高效蒸发台,其包括:蒸发台基体、第一固定板、第二固定板、立柱、挡板、挡板驱动装置和刮板,所述立柱设置在蒸发台基体中并对称分布在坩埚的前方或者后方,所述第一固定板分别设置在立柱上,所述第一固定板底部分别设置有沿蒸发台基体的宽度方向水平延伸的滑轨,所述挡板连接在两侧的滑块之间并位于坩埚开口上方,所述刮板设置在两侧的第二固定板之间,所述刮板顶部设置有与挡板底面接触的刀刃。本实用新型所述的半导体高效蒸发台,挡板在坩埚加热初期进行覆盖,接收杂质,并在后退的过程中通过刮板实现挡板底面杂质的清理,减少了人工维护的耗时问题,提升了生产效率。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
一种氧化炉均匀喷淋装置
当前第 / 件
一种便于维护的真空高效加热装置
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