发明专利已授权

基于CVD技术在异形件表面制备三维金属单质薄膜的设备及方法

📄 申请号：CN202011604587.9 📄 发布日：2025/11/16

著录项目信息

申请日

2020-12-30

公开号

CN112813406A

公开日

2021-05-18

申请人

武汉工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C16_18

IPC 分类号

C23C16_18 , C23C16_448 , C23C16_52 ,

技术画像

所属领域

化学气相沉积化学气相沉积薄膜沉积设备金属薄膜材料

应用场景

精密零部件表面强化, 刀具涂层, 模具表面处理, 汽车零部件制造, 航空航天零部件防护

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摘要

本发明涉及一种基于CVD技术在异形件表面制备三维金属单质薄膜的设备及方法。该设备包括反应室腔体、喷液雾化系统、气体供给系统、真空系统、温控系统、数据采集系统以及计算机控制系统，其中反应室腔体分别与喷液雾化系统、真空系统、温控系统连通，气体供给系统分别与反应室腔体、喷液雾化系统连通，计算机控制系统与数据采集系统相连，数据采集系统与反应室腔体、喷液雾化系统、气体供给系统、真空系统、温控系统相连。液态前驱体随惰性气体输送至挥发罐顶部气化喷出，在载流气和还原保护气作用下进入反应室腔体内部并再次喷出，最终沉积在加热台上的异形件表面，得到三维金属单质薄膜。该方法具有沉积速率高、沉积范围广、绕镀性好等优点。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种湿法重结晶控制晶型制备HgS晶体的方法

当前第 / 件

一种化学气相沉积设备专用挡板装置

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议价

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：139 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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