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一种湿法重结晶控制晶型制备HgS晶体的方法

Name: 一种湿法重结晶控制晶型制备HgS晶体的方法
Brand: 湘西晶研朱砂新材料有限公司
SKU: 2025106906554
Availability: InStock

📄 申请号：CN202510690655.4 📄 发布日：2025/11/16

著录项目信息

申请日

2025-05-27

公开号

CN120191958B

公开日

2025-09-19

申请人

湘西晶研朱砂新材料有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01G13_00

IPC 分类号

C01G13_00

技术画像

所属领域

晶体材料晶体材料无机化合物合成湿法冶金

应用场景

红外光学器件, 半导体材料, 光电探测器, 光催化材料

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摘要

本发明提供一种湿法重结晶控制晶型制备HgS晶体的方法，属于汞的化合物的制备技术领域。本发明中将硫化汞粉末溶解在碱金属硫化物的溶液中，然后进行水热反应，反应结束后冷却至室温，通过控制向反应液中加入去离子水的速度和用量制备得到了不同晶型的HgS晶体。本发明中制备HgS晶体的反应条件温和、成本低，得到的晶体尺寸达到毫米级，晶体尺寸易于控制，晶体生长周期短。

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是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN120191958B

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种适用于刻蚀机零部件的Y2O3-BZO复合涂层的制备方法

当前第 / 件

基于CVD技术在异形件表面制备三维金属单质薄膜的设备及方法

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C01G13_00 覆盖1个领域

议价

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：267 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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