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本发明提供一种多功能镍掺杂二硫化钼原位电极的CVD制备方法，将镍盐和氯化钼溶于挥发非水溶剂，获得Ni-Mo前躯液；上述前躯液涂布到基底上，干燥后放在Ar+S气氛中或N2+S气氛中，CVD硫化。本发明的技术方案得到的产品具有设备要求低、所需原料成本低廉、反应条件易于控制、生产工艺简单、所形成的产品一致性好，环境污染小等优点，可用于HER、OER和ORR的多功能电催化剂。

本发明公开了一种化学气相沉积法制备可降解聚合物纳米纤维的方法，属材料技术领域。本发明采用化学气相沉积(CVD)技术，在聚对二甲苯或两种功能化的聚对二甲苯中，引入不饱和环状缩醛5,6‑苯并‑2‑亚甲基‑1,3‑二氧杂环庚烷(BMDO)，以向列型液晶为模板，根据自由基聚合机理，成功制备了主链可降解的共聚物纳米纤维，该制备方法具有纤维自身的尺寸、形貌、组成可控的特点，避免了传统静电纺丝法制备纤维存在溶剂后处理问题，环境污染严重等缺点，所得可应用于药物释放体系、组织工程、微流体装置等，具有很高的应用价值。

本发明属于纳米材料制备技术领域，具体涉及一种判断CVD实验中碳原子生长结构的方法。碳原子生长结构包括碳纳米管结构和富勒烯结构；碳纳米管结构的形成能由纳米管帽的曲率能、纳米管的曲率能以及纳米管与金属催化剂之间的边界形成能组成，富勒烯结构的形成能由富勒烯的曲率能、形成富勒烯过程中碳结构与金属催化剂间的界面形成能、碳原子与金属催化剂间的结合能组成，当碳纳米管结构的形成能大于富勒烯结构，则碳原子的生长结构为富勒烯结构，反之为碳纳米管结构。本发明解释了“在CVD实验中，金属纳米粒子表面的碳原子会生长为碳纳米管，而不是富勒烯结构”这一现象，可引导将来更好地设计碳纳米管生长的实验，制备更加优质的碳纳米管。

一种Mist‑CVD化学气相沉积法制备ZnS掺杂α‑Ga2O3薄膜的方法，薄膜组分如下式所示：α‑Ga2O3:x％ZnS，0.01≤x≤0.5；将C15H21O6Ga、C2H6Zn、CH4S溶于去离子水中配成前驱体溶液，加入盐酸溶液；将蓝宝石衬底依次用丙酮、乙醇、去离子水进行超声清洗，用氮气吹干后在管式炉中退火；将蓝宝石衬底置于反应腔中；向反应腔中通入氮气；将前驱体溶液放置于雾化罐中，反应温度为300‑400℃，将氮气作为载气，将雾化罐中的雾滴送进反应腔内进行沉积得薄膜初品；将薄膜初品放入管式炉中退火后得到薄膜。该方法不仅能降低薄膜的生长温度，还能提高了薄膜的自由电子浓度和电导率。

本发明涉及一种基于CVD技术在异形件表面制备三维金属单质薄膜的设备及方法。该设备包括反应室腔体、喷液雾化系统、气体供给系统、真空系统、温控系统、数据采集系统以及计算机控制系统，其中反应室腔体分别与喷液雾化系统、真空系统、温控系统连通，气体供给系统分别与反应室腔体、喷液雾化系统连通，计算机控制系统与数据采集系统相连，数据采集系统与反应室腔体、喷液雾化系统、气体供给系统、真空系统、温控系统相连。液态前驱体随惰性气体输送至挥发罐顶部气化喷出，在载流气和还原保护气作用下进入反应室腔体内部并再次喷出，最终沉积在加热台上的异形件表面，得到三维金属单质薄膜。该方法具有沉积速率高、沉积范围广、绕镀性好等优点。

本发明属于晶体合成技术领域，具体涉及一种利用微波等离子体化学气相沉积法在钽铌酸钾晶体上制备金刚石薄膜的方法，包括如下步骤：1）将钽铌酸钾晶体置于微波等离子体化学气相沉积装置的腔体中，将腔体抽真空后，通入氢气，调节氢气流量、气压和微波功率，产生等离子体包裹钽铌酸钾晶体以实现对其加热，并调节真空微调阀使腔内气压保持在11kPa‑12kPa范围之内；2）待压强和等离子体状态稳定后，对步骤1）所述腔体内通入甲烷，控制甲烷和氢气的通入流量比，再调节真空微调阀使腔内气压保持在11kPa‑12kPa范围之内；待通入甲烷6‑9h后关闭微波源，待腔体冷却，取出样品，得到在钽铌酸钾晶体上制备的金刚石薄膜。该方法有制备工艺简单，制备金刚石膜质量高，生长速度快等优点。

本发明公开了一种基于头发丝作为碳源使用MPCVD法生长单晶金刚石的方法，该方法包含以下步骤：第一步：提供生产单晶金刚石的合成装置和固定样品台；第二步：将成捆头发丝插入固定样品台上的插口中，将固定样品台放入反应腔内，向腔体内通入氢气形成等离子体，利用等离子体对头发丝进行灼烧，使其气化；第三步，将气化的气体收集并纯化后通入另一反应腔内；第四步：沉积单晶金刚石完成。本发明利用微波等离子体化学气相沉积法高温灼烧头发丝使其气化，利用其碳源生产单晶金刚石，并获得了质量较好的单晶金刚石。

本发明技术方案公开了一种化学气相沉积工艺，包括：确定进行CVD反应时反应腔的设定压力；将气体排放管路上设置的排气阀打开至第一角度，所述第一角度为进行CVD工艺时排气阀打开的第二角度的10％～90％；在CVD反应腔内通入反应气体，至反应腔的压力达到设定压力；调整所述排气阀打开的角度至第二角度，所述角度可使反应腔内气体压力保持在设定压力；进行CVD工艺。所述工艺有效解决了气体排放管口处反应的副产物回灌问题。