发明专利已授权

一种半导体制冷石墨烯芯片

📄 申请号：CN202010686659.2 📄 发布日：2025/11/10

著录项目信息

申请日

2020-07-16

公开号

CN111987055B

公开日

2022-06-07

申请人

大同新成新材料股份有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L23_367

IPC 分类号

H01L23_367 , H01L23_373 ,

技术画像

所属领域

半导体制冷技术半导体制冷技术石墨烯材料半导体器件

应用场景

电子设备散热, 芯片级制冷, 数据中心热管理, 5G通信设备, 消费电子

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摘要

本发明公开了一种半导体制冷石墨烯芯片，包括导热金属层，所述导热金属层顶部的中间位置处均匀设置有散热孔，所述导热金属层的底部设置有芯片主体层，所述芯片主体层的底部设置有底座，所述底座的底部均匀设置有连接针脚，所述芯片主体层内部的中间位置处设置有电路板，所述芯片主体层背面一端一侧的中间位置处设置有安装槽，所述安装槽内侧的一端设置有电磁铁A，所述电磁铁A远离安装槽的一端设置有电磁铁B；本发明装置通过两个芯片组的结合，在低数据运算处理时，可通过电磁控制连接，实现芯片分离，使得其中单个芯片进行运算，另一个芯片处于修整待机状态，从而延长了芯片的使用寿命，同时减少了热量产生。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种半导体石墨切割装置及其切割方法

当前第 / 件

一种硒-石墨烯复合型等静压石墨材料及其制备方法

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