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本申请提供一种紫外LED外延结构，包括：衬底；依次生长在所述衬底上的未掺杂缓冲层、N型AlGaN层、多量子阱结构、超晶格结构、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型GaN层；其中，所述超晶格结构包括至少一层第一AlGaN层和至少一层第二AlGaN层，所述第一AlGaN层和所述第二交替叠加。由于在多量子阱与电子阻挡层之间增加设置超晶格结构，超晶格结构能够有效缓解有源区最后一个量子垒与电子阻挡层之间的应变，抑制电子泄漏，增大空穴注入率，从而提高紫外LED的光输出功率和内量子效率，使其呈现更佳的发光性能。

本发明公开了一种紫外LED倒装芯片，包括从下往上依次设置的基板、布线层和芯片外延层；本发明通过刻蚀工艺将芯片外延层的一部分去除，形成用于设置n电极的n型半导体区域，并在芯片外延层内分别设有贯穿n型AlGaN层的第一内部接触层和贯穿n型AlGaN层至透明导电层的第二内部接触层，使芯片内部形成用于释放高压静电的电流释放通道，从而避免芯片遭受静电的危害；另外，反射层的设置可以最大限度反射向下射出的光线，有效提高芯片的出光率；透明导电层可以增大与p电极之间的接触面积，获得更好的散热效果；最后，本发明通过设置电流扩展层和电子阻挡层，加强芯片内部载流子向上流动的速度和流量，使芯片的出光率大大提高。

本发明公开了一种提高紫外LED光输出功率的外延结构，所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底，GaN缓冲层，未掺杂的GaN层，掺杂N型GaN层，AlGaN/GaN多量子阱结构，插入层，电子阻挡层EBL，P型GaN层，所述衬底采用蓝宝石衬底，所述GaN缓冲层厚度为20‑25nm，生长温度为530‑550℃，并在1050℃恒温6分钟使GaN缓冲层重结晶，所述未掺杂的GaN层厚度为2.0‑2.5μm，生长温度为1050℃，所述掺杂N型GaN层的厚度为2.5‑3.0μm，其中Si掺杂浓度为5x1018cm‑3，生长温度为1050℃，所述多量子阱AlGaN/GaN结构由多量子阱AlGaN层和多量子阱GaN层按6个周期的交替生长而成。本发明通过提高紫外LED芯片的晶体质量，优化电子阻挡层的电子阻挡效果，减少电子泄露，从而改善紫外LED器件的效率下降，提高光输出功率。

本发明公开了一种实现短波长紫外LED的外延结构，所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底、GaN缓冲层、未掺杂的GaN层、掺杂N型GaN层、多量子阱AlGaN/GaN层、P型AlGaN电子阻挡层、渐变P型AlGaN层和P型GaN层，所述衬底为蓝宝石衬底，所述GaN缓冲层的厚度为20～25nm，生长温度为530‑550℃，并在1030‑1080℃恒温6‑8分钟使GaN缓冲层重结晶，所述未掺杂的GaN层的厚度为2.0～2.5μm，生长温度为1030‑1080℃，所述掺杂N型GaN层的厚度为2.5‑3μm，生长温度为1030‑1080℃。本发明采用渐变P型AlGaN层，能减少极化效应，削弱电子阻挡层EBL到P型层之间的能带弯曲，使得红移现象得到改善，呈现更短的发光波长，发光强度也随之增大。

本发明涉及紫外LED封装技术领域，公开了一种紫外LED封装器件，包括分别设置于紫外LED两侧的上透光中空壳体与下透光中空壳体，上透光中空壳体的一侧与下透光中空壳体的一侧具有开口端，紫外LED包括基板和设置于基板上的多个晶片，基板的一侧封闭上透光中空壳体的开口端且基板的另一侧封闭下透光中空壳体的开口端，上透光中空壳体的内部与下透光中空壳体的内部真空或充满填充气体。上述封装器件通过透光中空壳体与充满其中的填充气体或者真空来实现对紫外LED的封装，整个封装器件不使用有机封装材料，能够从源头上完全克服紫外光对有机封装材料的老化，从而有效提高紫外LED的性能并延长其使用寿命。