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摘 要:本实用新型公开了一种肖特基势垒二极管,通过在沟道层上设置采用渐变Al组分超晶格结构的势垒层,提升了肖特基势垒二极管的二维电子气浓度,使得肖特基势垒二极管的外延质量不因材料应力的影响而下降,有效降低了横向结构肖特基势垒二极管的漏电流,从而提升了肖特基势垒二极管的截止频率。本实用新型可广泛应用于半导体技术领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
著 录 项:
专利/申请号: | CN202222505820.9 | 专利名称: | 一种肖特基势垒二极管 |
申请日: | 2022-09-21 | 申请/专利权人 | 广州市众拓光电科技有限公司 |
专利类型: | 实用新型 | 地址: | 广东省广州市黄埔区开源大道136号B2栋1103室 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/872搜分类 半导体搜索 |
公开/公告日: | 2023-04-07 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN218827152U | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |