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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN202222505275.3 | 专利名称: | 一种InGaN基探测器 |
申请日: | 2022-09-21 | 申请/专利权人 | 河源市众拓光电科技有限公司 |
专利类型: | 实用新型 | 地址: | 广东省河源市高新技术开发区高新五路、泥金路西边 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/102分类检索 半导体专利转让搜索 |
公开/公告日: | 2023-05-09 | 转让价格: | 【平台担保交易】 |
公开/公告号: | CN218996739U | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要:本实用新型公开了一种InGaN基探测器,通过在衬底和InGaN纳米柱之间设置III‑VI族化合物薄膜的功能层,其中,III‑VI族化合物薄膜具有高载流子迁移率的优点,提升了InGaN基探测器在紫外波段的光吸收能力,从而提升了InGaN基探测器的性能;同时,III‑VI族化合物薄膜调控了衬底和InGaN纳米柱的异质结界面势垒,优化了InGaN异质结的界面接触以及能带结构,促进了InGaN基探测器中光生载流子的快速分离,从而进一步提升了InGaN基探测器的性能。本实用新型可广泛应用于半导体技术领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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