实用新型已授权

一种InGaN基探测器

Name: 一种InGaN基探测器
Brand: 河源市众拓光电科技有限公司
SKU: 2022225052753
Availability: InStock

📄 申请号：CN202222505275.3 📄 发布日：2025/10/24

著录项目信息

申请日

2022-09-21

公开号

CN218996739U

公开日

2023-05-09

申请人

河源市众拓光电科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

H01L31_102

IPC 分类号

H01L31_102 , H01L31_18 , H01L31_0304 , H01L31_032 , H01L31_0352 ,

技术画像

所属领域

半导体光电器件半导体光电器件氮化镓基半导体光电探测技术

应用场景

光通信, 紫外探测, 环境监测, 工业检测, 航空航天

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摘要

本实用新型公开了一种InGaN基探测器，通过在衬底和InGaN纳米柱之间设置III‑VI族化合物薄膜的功能层，其中，III‑VI族化合物薄膜具有高载流子迁移率的优点，提升了InGaN基探测器在紫外波段的光吸收能力，从而提升了InGaN基探测器的性能；同时，III‑VI族化合物薄膜调控了衬底和InGaN纳米柱的异质结界面势垒，优化了InGaN异质结的界面接触以及能带结构，促进了InGaN基探测器中光生载流子的快速分离，从而进一步提升了InGaN基探测器的性能。本实用新型可广泛应用于半导体技术领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN218996739U

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当前标价为议价，可委托平台代购或预约谈判。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230509

✅ 授权

一种自动钻孔机工件固定夹具

当前第 / 件

一种耦合板HEMT器件

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