一种氮化镓高电子迁移率晶体管

摘     要：一种氮化镓高电子迁移率晶体管，涉及半导体技术领域；包括HEMT外延片、源极、栅极和漏极，所述HEMT外延片顶部包括AlGaN势垒层和与AlGaN势垒层上表面连接的钝化层，所述源极和漏极分别穿过所述钝化层与AlGaN势垒层表面形成欧姆接触，所述栅极底部设有半圆弧形栅结构，所述栅极穿过所述钝化层且所述半圆弧形栅结构延伸至AlGaN势垒层内部形成肖特基接触。本实用新型的栅极底部设有半圆弧形栅结构，该半圆弧形栅结构的应用可降低了栅下及边缘处的电子浓度，缓解电场集中效应，提升器件的击穿电压；同时半圆弧状栅结构的引入减薄了势垒层的厚度，提升器件的栅控能力和响应速度，降低了噪声比。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期

  法律信息

  备注