一种HEMT与嵌入式电极LED的混合集成方法及器件

摘     要：本实用新型公开了一种HEMT与嵌入式电极LED的混合集成器件，包括从上到下依次排列的HEMT外延衬底、GaN沟道层、AlGaN势垒层、源漏栅电极、第二钝化层、键合金属层、LED的N电极、第一钝化层、Bar金属层、Ag反射层、p‑GaN层、AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN多量子阱层、n‑GaN层、第三钝化层LED的P电极；所述LED的n电极以嵌入式电极的形式均匀设置于所述器件内的孔状结构中。本实用新型可以有效提高集成器件的光效，增加HEMT器件的饱和电流，实现集成器件在大电流下的高光输出功率。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期

  法律信息

  备注