实用新型已授权

一种HEMT与嵌入式电极LED的混合集成方法及器件

📄 申请号：CN202221762920.3 📄 发布日：2026/02/22

著录项目信息

申请日

2022-07-06

公开号

CN218274603U

公开日

2023-01-10

申请人

河源市众拓光电科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

H01L27_15

IPC 分类号

H01L27_15 , H01L29_778 , H01L29_423 , H01L33_00 , H01L21_335 , H01L21_60 ,

技术画像

所属领域

阳极氧化工艺半导体集成器件光电子器件 HEMT器件

应用场景

光电子集成, 半导体照明, 高速通信, 功率电子器件, 显示技术

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摘要

本实用新型公开了一种HEMT与嵌入式电极LED的混合集成器件，包括从上到下依次排列的HEMT外延衬底、GaN沟道层、AlGaN势垒层、源漏栅电极、第二钝化层、键合金属层、LED的N电极、第一钝化层、Bar金属层、Ag反射层、p‑GaN层、AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN多量子阱层、n‑GaN层、第三钝化层LED的P电极；所述LED的n电极以嵌入式电极的形式均匀设置于所述器件内的孔状结构中。本实用新型可以有效提高集成器件的光效，增加HEMT器件的饱和电流，实现集成器件在大电流下的高光输出功率。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230110

✅ 授权

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当前第 / 件

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