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| 专利/申请号: | CN202322071884.7 | 专利名称: | 一种半导体终端保护结构(功率MOS器件 芯片 半导体加工 电子元器件 集成电路 硅半导体电路 硅晶片) |
| 申请日: | 2023-08-03 | 申请/专利权人 | 上海祎丰环保科技有限公司 |
| 专利类型: | 实用新型 | 地址: | 上海市金山区亭林镇松隐育才路121弄22号1幢128室 |
| 专利状态: | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号: | H01L29/06 分类检索 |
| 公开/公告日: | 2024-03-15 | 转让价格: | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号: | CN220604695U | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量: | 77 | 所属领域: | 半导体专利转让搜索 |
摘 要:一种半导体终端保护结构,涉及半导体保护技术领域,包括有源区和终端保护区,有源区用于功率器件进行工作,终端保护区用于功率器件连接在半导体上,在功率器件工作时,对半导体起到保护作用,防止半导体在工作状态下被击穿,终端保护区设置有导电多晶硅体组件,导电多晶硅体组件之间穿插分布有场限环注入区,且场限环注入区的深度呈梯形分布;综述来说,本实用新型通过将场限环注入区设置成环状且将边缘处的深度加深的方式,提高终端保护区的耐受力的同时不增大芯片的占用面积,结构简单且节约成本。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
| 专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
| 专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
| 解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
| 专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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| 2021109149327 | 【发明】一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管 | 2025/09/23 |
| 2021108120478 | 【发明】一种N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管 | 2025/09/23 |
| 2021103625508 | 【发明】一种具有电子积累效应的鳍式EAFin-LDMOS器件 | 2025/09/23 |
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| 2022222673189 | 【实用新型】一种贴片型三极管 | 2025/09/05 |
| 202111222870X | 【发明】一种开路电压连续可调的肖特基结及其制备和应用 | 2025/08/12 |