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摘 要:高低肖特基势垒无掺杂XNOR逻辑数字芯片及使用和制造方法,对近源栅电极、近漏栅电极和漏电极同时正向偏置,低肖特基势垒源区、无掺杂半导体层和低肖特基势垒漏区形成通路,该数字芯片处于导通、低阻状态,对源电极输出逻辑1;对近源栅电极、近漏栅电极同时反向偏置,对漏电极正向偏置,高肖特基势垒源区、无掺杂半导体层和高肖特基势垒漏区形成通路,该数字芯片处于导通、低阻状态,对源电极输出逻辑1;对近源栅电极、近漏栅电极其中一个施加正向偏置,另一个施加反向偏置,对漏电极施加正向偏置,该数字芯片处于关断、高阻状态,对源电极输出逻辑0。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110800171.2 | 专利名称: | 高低肖特基势垒无掺杂XNOR逻辑数字芯片及制造方法 |
申请日: | 2021-07-15 | 申请/专利权人 | 沈阳工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 辽宁省沈阳市铁西区经济技术开发区沈辽西路111号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/786搜分类 半导体芯片 数字集成电路制造 数字芯片设计 无掺杂技术数字芯片设计制造 XNOR逻辑高集成化 数字逻辑电路 硅晶圆衬底搜索 |
公开/公告日: | 2023-11-10 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113611751B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |