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摘 要:高低肖特基势垒无掺杂XNOR逻辑数字芯片及使用和制造方法,对近源栅电极、近漏栅电极和漏电极同时正向偏置,低肖特基势垒源区、无掺杂半导体层和低肖特基势垒漏区形成通路,该数字芯片处于导通、低阻状态,对源电极输出逻辑1;对近源栅电极、近漏栅电极同时反向偏置,对漏电极正向偏置,高肖特基势垒源区、无掺杂半导体层和高肖特基势垒漏区形成通路,该数字芯片处于导通、低阻状态,对源电极输出逻辑1;对近源栅电极、近漏栅电极其中一个施加正向偏置,另一个施加反向偏置,对漏电极施加正向偏置,该数字芯片处于关断、高阻状态,对源电极输出逻辑0。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110800171.2 | 专利名称: | 高低肖特基势垒无掺杂XNOR逻辑数字芯片及制造方法 |
申请日: | 2021-07-15 | 申请/专利权人 | 沈阳工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 辽宁省沈阳市铁西区经济技术开发区沈辽西路111号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 关键词: | 集成电路 相似专利 |
公开/公告日: | 2023-11-10 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113611751B | 交易状态: | 等待洽谈 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(最新年检需盖公章)与组织机构代码副本复印件(需盖公章)一个专利各一份 | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利协议(需盖公章)一式两份 | 专利协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(最新年检需盖公章)组织机构代码副本复印件(需盖公章)一个专利各一份 | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利协议(需盖公章)一式两份 | 专利协议(需签字)一式两份 | |
专利受理通知书复印件或专利授权通知书复印件 | 专利受理通知书复印件或专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权未下证) | 专利证原件(若授权未下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |