发明专利已授权

低功耗双层阻挡接触式双向异或非门集成电路及制造方法

📄 申请号：CN202110769076.0 📄 发布日：2025/09/22

著录项目信息

申请日

2021-07-07

公开号

CN113571585B

公开日

2023-10-13

申请人

沈阳工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_786

IPC 分类号

H01L29_786 , H01L27_12 , H01L21_336 , H01L21_77 ,

技术画像

所属领域

集成电路集成电路半导体器件逻辑门电路

应用场景

集成电路设计, 低功耗电子设备, 逻辑运算芯片

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摘要

本发明公开了低功耗双层阻挡接触式双向异或非门集成电路及制造方法，通过具有双层阻挡接触式结构特征的单个晶体管即可实现集成电路的异或非门逻辑功能，简化了异或非门电路结构的复杂度，易于集成电路集成度的提升，解决了源区和漏区过短，会导致由传统MOS场效应晶体管所组成异或非门集成电路功能退化和逻辑失效等问题，并使逻辑门实现了双向传输功能，因此极大地简化了异或非门电路结构的复杂度；利用源区或漏区具有双层阻挡接触式结构特征，在源区或漏区缩减至纳米级尺寸时，结合两个栅电极的共同作用，使异或非门工作在非“1”状态时功耗显著降低，在简化异或非门电路结构的同时，确保集成电路在极端尺寸下可以高性能稳定工作。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种非易失性可重置双向开关装置及其制造方法

当前第 / 件

源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管及制造方法

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：64 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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