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| 专利/申请号： | CN202110769076.0 | 专利名称： | 低功耗双层阻挡接触式双向异或非门集成电路及制造方法 |
| 申请日： | 2021-07-07 | 申请/专利权人 | 沈阳工业大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 辽宁省沈阳市铁西区经济技术开发区沈辽西路111号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L29/786 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2023-10-13 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN113571585B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 8 | 所属领域： | 数字电路设计制造 低功耗集成电路制造 晶体管 异或非门逻辑 XNOR 数字逻辑电路专利转让搜索 |
应用场景：物联网设备供电管理;可穿戴设备信号处理;低功耗传感器网络;便携式医疗电子系统
摘 要：本发明公开了低功耗双层阻挡接触式双向异或非门集成电路及制造方法，通过具有双层阻挡接触式结构特征的单个晶体管即可实现集成电路的异或非门逻辑功能，简化了异或非门电路结构的复杂度，易于集成电路集成度的提升，解决了源区和漏区过短，会导致由传统MOS场效应晶体管所组成异或非门集成电路功能退化和逻辑失效等问题，并使逻辑门实现了双向传输功能，因此极大地简化了异或非门电路结构的复杂度；利用源区或漏区具有双层阻挡接触式结构特征，在源区或漏区缩减至纳米级尺寸时，结合两个栅电极的共同作用，使异或非门工作在非“1”状态时功耗显著降低，在简化异或非门电路结构的同时，确保集成电路在极端尺寸下可以高性能稳定工作。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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