数字电路设计制造类专利转让_商标转让

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专利名称：低功耗双层阻挡接触式双向异或非门集成电路及制造方法申请号：2021107690760 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：发明关键词：数字电路设计制造低功耗集成电路制造晶体管异或非门逻辑 XNOR 数字逻辑电路相似专利发布日：2025/05/21
摘要：本发明公开了低功耗双层阻挡接触式双向异或非门集成电路及制造方法，通过具有双层阻挡接触式结构特征的单个晶体管即可实现集成电路的异或非门逻辑功能，简化了异或非门电路结构的复杂度，易于集成电路集成度的提升，解决了源区和漏区过短，会导致由传统MOS场效应晶体管所组成异或非门集成电路功能退化和逻辑失效等问题，并使逻辑门实现了双向传输功能，因此极大地简化了异或非门电路结构的复杂度；利用源区或漏区具有双层阻挡接触式结构特征，在源区或漏区缩减至纳米级尺寸时，结合两个栅电极的共同作用，使异或非门工作在非“1”状态时功耗显著降低，在简化异或非门电路结构的同时，确保集成电路在极端尺寸下可以高性能稳定工作。

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