发明专利 已授权

一种非易失性可重置双向开关装置及其制造方法

📄 申请号:CN202110733802.3 📄 发布日:2025/09/22

著录项目信息

申请日
2021-06-30
公开号
CN113471205B
公开日
2023-11-03
申请人
沈阳工业大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

集成电路, 存储芯片, 逻辑控制器件, 可编程逻辑器件

摘要

本发明公开了一种非易失性可重置双向开关装置,包含SOI晶圆的硅衬底,SOI晶圆的硅衬底上方为SOI晶圆的衬底绝缘层,SOI晶圆的衬底绝缘层的上方为半导体薄膜、双括号非易失性电荷存储层的部分区域、半导体隧穿层a、半导体隧穿层b、可互换电极内嵌区a、可互换电极内嵌区b、栅电极绝缘层的部分区域、栅电极、防电荷流失用绝缘层和绝缘介质阻挡层的部分区域。本发明所述器件为一种非易失性可重置双向开关装置及其制造方法,装置具有左右对称结构,可互换电极a和可互换电极b可彼此互换,实现本发明的双向开关功能。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

同领域国内专利 · IPC: (H10B41_30)

H10B41_30 覆盖1个领域
议价
不含过户费

📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:69 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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