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摘 要:本发明公开了一种非易失性可重置双向开关装置,包含SOI晶圆的硅衬底,SOI晶圆的硅衬底上方为SOI晶圆的衬底绝缘层,SOI晶圆的衬底绝缘层的上方为半导体薄膜、双括号非易失性电荷存储层的部分区域、半导体隧穿层a、半导体隧穿层b、可互换电极内嵌区a、可互换电极内嵌区b、栅电极绝缘层的部分区域、栅电极、防电荷流失用绝缘层和绝缘介质阻挡层的部分区域。本发明所述器件为一种非易失性可重置双向开关装置及其制造方法,装置具有左右对称结构,可互换电极a和可互换电极b可彼此互换,实现本发明的双向开关功能。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110733802.3 | 专利名称: | 一种非易失性可重置双向开关装置及其制造方法 |
申请日: | 2021-06-30 | 申请/专利权人 | 沈阳工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 辽宁省沈阳市铁西区经济技术开发区沈辽西路111号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H10B41/30搜分类 电子器件 半导体制造 信号控制 信号存储 低功耗集成电路制造 非易失性电荷存储层写入 晶体管 低反向漏电搜索 |
公开/公告日: | 2023-11-03 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113471205B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |