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摘 要:本发明公开的一种SiC耐高压抗浪涌pn结单极二极管,包括材料为n型SiC的衬底,衬底一面依次外延有缓冲层、漂移区、沟道扩展区,沟道扩展区上开设多个剖面呈矩形的阳极沟槽,每个阳极沟槽侧壁和底端均外延p+结区,沟道扩展区上最高面外延p型接触区,p+结区、p型接触区上覆盖连接欧姆接触阳极,衬底另一面覆盖连接欧姆接触阴极;本发明一种SiC耐高压抗浪涌pn结单极二极管通过在沟道区与阳极之间设置超薄p型接触区,避免了传统碳化硅单极二极管需要同时兼顾阳极与p型、n型碳化硅之间的接触问题,简化了电极制作工艺,降低了器件工艺的复杂度,提高了器件的可行性。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010546031.2 | 专利名称: | 一种SiC耐高压抗浪涌pn结单极二极管 |
申请日: | 2020-06-16 | 申请/专利权人 | 西安理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市碑林区金花南路5号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/06搜分类 电子元器件 半导体器件 集成电路搜索 |
公开/公告日: | 2024-03-01 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN111883577B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |