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| 专利/申请号： | CN202110666770.X | 专利名称： | 一种提取GaN HEMT器件热源模型的方法 |
| 申请日： | 2021-06-16 | 申请/专利权人 | 西安理工大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 陕西省西安市碑林区金花南路5号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | G06F30/23 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2023-11-03 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN113505504B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 56 | 所属领域： | 电子元器件 半导体器件 集成电路专利转让搜索 |
摘 要：本发明公开了一种提取GaN HEMT器件热源模型的方法，包括：使用半导体参数分析仪对漏极和栅极施加电压，测量器件的饱和漏电流，并计算耗散功率；利用红外热像仪测试器件的工作结温T；利用有限元软件建立器件电热耦合模型，根据工作结温校准器件电热耦合模型，得到器件电热耦合模型；利用器件电热耦合模型获取器件的结温分布，根据器件的结温分布建立一维热源模型；利用有限元软件根据一维热源模型建立三维热模型，并对三维热模型进行调整，使其与校准后的器件电热耦合模型仿真结果一致，得到GaN HEMT器件热源模型。克服了实验上利用红外热成像法和电学法对器件结温测量的偏差；热仿真模型精度高且计算量小，易于实现。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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