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| 专利/申请号： | CN201010593297.9 | 专利名称： | 一种基于金刚石薄膜的LED散热基底及其制作方法 |
| 申请日： | 2010-12-17 | 申请/专利权人 | 天津理工大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 天津市南开区红旗南路延长线天津理工大学主校区 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L33/02 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2013-03-06 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN102130244B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 117 | 所属领域： | 塑料 L 底专利转让搜索 |
摘 要：一种基于金刚石薄膜的散热基底，包括硅衬底、金刚石薄膜和过渡层，在硅衬底上制备金刚石薄膜具有硅上金刚石(DOS)结构，所述金刚石薄膜表面粗糙度在去除封端顶层和进行表面平坦化处理后为纳米量级并进行表面改性；过渡层为Ti薄膜，在制备金属凸点之前先沉积于表面改性后的金刚石薄膜上。本发明的优点是：采用导热率最高的金刚石薄膜来作为LED基底的散热层，形成硅上金刚石(DOS)结构，大大提高了散热的效率。同时在散热沉底上直接制作焊接用的金属凸点，减少热量的传输距离，利用热化学机械平坦化对金刚石表面进行表面改性及平坦化，改善表面粗糙度，激活表面的价健从而改善金刚石薄膜与金属凸点的粘附性，防止接触界面中间产生气泡等缺陷，形成的良好接触界面能够降低结热阻，提高散热效率。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
| 201710865325X | 【发明】一种紫外LED芯片及其制备方法 | 2025/10/23 |
| 2017106004739 | 【发明】一种紫外LED外延结构 | 2025/10/23 |
| 2017106004531 | 【发明】一种深紫外LED | 2025/10/23 |
| 201710359384X | 【发明】一种紫外LED倒装芯片 | 2025/10/23 |
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