发明专利已授权

一种具有非均匀体二极管的SiCMOSFET器件

📄 申请号：CN202010364664.1 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-04-30

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_78

IPC 分类号

H01L29_78 , H01L29_06 , H01L29_36 , H01L29_16 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件功率半导体器件碳化硅器件

应用场景

新能源汽车, 光伏逆变器, 工业变频器, 充电桩, 智能电网

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摘要

本发明公开了一种具有非均匀体二极管的SiC MOSFET器件，n型4H‑SiC衬底上表面依次设有缓冲层、漂移区及电流扩展层，电流扩展层中间隔嵌有p阱区，每个p阱区中嵌有一个n+源区，每个n+源区中嵌有一个p+接触区；相邻p阱区的上端面共同覆盖有一个栅氧化层，该栅氧化层同时覆盖在部分n+源区以及n+源区之间电流扩展层上表面，栅氧化层上表面设有多晶硅栅，栅氧化层和多晶硅栅的外表面共同包裹有隔离介质层；在p+接触区、n+源区以及隔离介质层之上共同覆盖有源极；n型4H‑SiC衬底下表面设有漏极；栅极覆盖于隔离介质层上表面并与多晶硅栅相连。本发明的结构，显著提升了SiC MOSFET器件的可靠性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种基于等离子体喷射技术的飞行制导武器控制装置

当前第 / 件

环境自适应指纹库的二次构建方法

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_78)

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