发明专利已授权

Cu/SnSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用

📄 申请号：CN201810614958.8 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-06-14

申请人

江苏理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L45_00

IPC 分类号

H01L45_00

技术画像

所属领域

相变材料相变材料纳米复合材料薄膜材料

应用场景

相变存储器, 数据存储, 光存储, 高密度存储, 半导体存储

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摘要

本发明涉及微电子、多层相变薄膜材料的利用技术领域，具体涉及了一种Cu/SnSe多层相变薄膜材料并进一步公开其制备方法，以及Cu/SnSe多层相变薄膜材料用于高速、低功耗相变存储器的应用。本发明所述多层薄膜材料通过磁控溅射交替沉积Cu和SnSe层，在纳米量级复合而成。通过磁控溅射交替沉积Cu和SnSe层制作的多层相变薄膜材料取得了较好的性能优势，从而得到一种在相变前后的电阻率较大，在SET和RESET过程中所需的能量较少，大大降低PCM器件的功耗的Cu/SnSe纳米复合多层。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20200825

✅ 授权

20181218

?? 实质审查的生效：

20181123

📄 公开

用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法

当前第 / 件

一种Cu?Sn?Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途

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