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| 专利/申请号： | CN201810614958.8 | 专利名称： | Cu/SnSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用 |
| 申请日： | 2018-06-14 | 申请/专利权人 | 江苏理工学院 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 江苏省常州市中吴大道1801号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L45/00 分类检索 |
| 公开/公告日： | 转让价格： | 【平台担保交易】 | |
| 公开/公告号： | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 | |
| 浏览量： | 4 | 所属领域： | 塑料专利转让搜索 |
摘 要：本发明涉及微电子、多层相变薄膜材料的利用技术领域，具体涉及了一种Cu/SnSe多层相变薄膜材料并进一步公开其制备方法，以及Cu/SnSe多层相变薄膜材料用于高速、低功耗相变存储器的应用。本发明所述多层薄膜材料通过磁控溅射交替沉积Cu和SnSe层，在纳米量级复合而成。通过磁控溅射交替沉积Cu和SnSe层制作的多层相变薄膜材料取得了较好的性能优势，从而得到一种在相变前后的电阻率较大，在SET和RESET过程中所需的能量较少，大大降低PCM器件的功耗的Cu/SnSe纳米复合多层。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2020/08/25 | 授权 | |
| 2018/12/18 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 45/00 专利申请号: 201810614958.8 申请日: 2018.06.14 |
| 2018/11/23 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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