咨询电话:13280638997
传真:0533-3110363
邮箱:kefu@shizifang.com
摘 要:本发明涉及微电子、多层相变薄膜材料的利用技术领域,具体涉及了一种Cu/SnSe多层相变薄膜材料并进一步公开其制备方法,以及Cu/SnSe多层相变薄膜材料用于高速、低功耗相变存储器的应用。本发明所述多层薄膜材料通过磁控溅射交替沉积Cu和SnSe层,在纳米量级复合而成。通过磁控溅射交替沉积Cu和SnSe层制作的多层相变薄膜材料取得了较好的性能优势,从而得到一种在相变前后的电阻率较大,在SET和RESET过程中所需的能量较少,大大降低PCM器件的功耗的Cu/SnSe纳米复合多层。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810614958.8 | 专利名称: | Cu/SnSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用 |
申请日: | 2018-06-14 | 申请/专利权人 | 江苏理工学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省常州市中吴大道1801号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L45/00搜分类 塑料搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2020/08/25 | 授权 | |
2018/12/18 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 45/00 专利申请号: 201810614958.8 申请日: 2018.06.14 |
2018/11/23 | 公开 |