发明专利已授权

用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法

📄 申请号：CN201810155240.7 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2015-04-27

申请人

江苏理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L45_00

IPC 分类号

H01L45_00 , C23C14_35 , C23C14_18 ,

技术画像

所属领域

半导体材料半导体材料薄膜材料相变存储技术

应用场景

存储芯片, 数据中心, 云计算, 消费电子, 高性能计算

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摘要

本发明公开了一种用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法，上述相变薄膜材料为多层复合膜结构，由GeTe层和Sb层交替沉积复合而成，将一层GeTe层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的GeTe层沉积在前一个交替周期的Sb层上方。经试验证实，本发明的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料反射率发生突变的时间约为5.3ns，而单层Ge2Sb2Te5传统相变薄膜材料反射率发生突变的时间约为39ns；说明与传统单层Ge2Sb2Te5相变薄膜材料相比，本发明的相变薄膜材料具有更快的相变速度，从而使得用其制备的相变存储器具有更快的操作速度，有利于提高PCRAM信息读写的速度。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

SnSb/Si多层相变薄膜材料及其制备方法

当前第 / 件

Cu/SnSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用

同领域国内专利 · IPC: (H01L45_00)

H01L45_00 覆盖1个领域

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