发明专利已授权

一种Cu?Sn?Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途

📄 申请号：CN201710101643.9 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2017-02-24

申请人

江苏理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L45_00

IPC 分类号

H01L45_00 , B82Y30_00 , B82Y10_00 ,

技术画像

所属领域

相变材料相变材料纳米薄膜材料半导体材料

应用场景

相变存储器, 数据存储, 半导体器件, 热电转换, 纳米电子器件

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摘要

本发明公开了一种Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途，所述Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料的化学组成为Cu28Sn33Se39，所述Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料是以Sn46Se54靶和扇形纯Cu片构成的复合靶材通过高真空磁控溅射的方法沉积而成。本发明的Cu28Sn33Se39纳米相变薄膜材料能够应用于相变存储器，与传统的相变薄膜材料相比具有较快的晶化速度，能够大大提高PCRAM的存储速度；具有较高的晶态电阻，从而能够减少PCRAM的功耗。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

Cu/SnSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用

当前第 / 件

一种具有高热稳定性、低功耗性能的多层相变薄膜材料

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