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摘 要:本发明公开了一种Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途,所述Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料的化学组成为Cu28Sn33Se39,所述Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料是以Sn46Se54靶和扇形纯Cu片构成的复合靶材通过高真空磁控溅射的方法沉积而成。本发明的Cu28Sn33Se39纳米相变薄膜材料能够应用于相变存储器,与传统的相变薄膜材料相比具有较快的晶化速度,能够大大提高PCRAM的存储速度;具有较高的晶态电阻,从而能够减少PCRAM的功耗。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201710101643.9 | 专利名称: | 一种Cu?Sn?Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途 |
申请日: | 2017-02-24 | 申请/专利权人 | 江苏理工学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省常州市中吴大道1801号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L45/00搜分类 塑料搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |