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| 专利/申请号： | CN202011120170.5 | 专利名称： | 一种基于SiC衬底沟槽型MPS二极管元胞结构 |
| 申请日： | 2020-10-19 | 申请/专利权人 | 重庆邮电大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L29/861 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2023-04-18 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN112242449B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 34 | 所属领域： | 半导体器件制造 电力电子器件设计专利转让搜索 |
应用场景：高压高频功率转换；智能电网；新能源汽车；工业电机驱动
摘 要：本发明涉及一种基于SiC衬底沟槽型MPS二极管元胞结构，属于半导体技术领域。该器件在传统MPS器件的基础上，引入沟槽SiO2介质区和P型保护环，具有优点：(1)在正向导通单极性导电模式下，沟槽SiO2介质区和P型保护环对电子具有阻挡作用，阻碍电子直接流向肖特基接触区，使得电子在P+发射区下方不断地积累，P+N‑结达到开启电压后向N‑低浓度外延层注入空穴，器件进入双极性导电模式从而有效抑制电压回跳现象，最终消除snapback效应。(2)在反向击穿时，沟槽SiO2介质区和P型保护环屏蔽肖特基结的表面电场，将表面最大电场引入体内，使器件在体内发生击穿，从而减小器件的反向漏电流。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2023/04/18 | 授权 | |
| 2021/02/05 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 29/861 专利申请号: 202011120170.5 申请日: 2020.10.19 |
| 2021/01/19 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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