发明专利已授权

一种基于SiC衬底沟槽型MPS二极管元胞结构

📄 申请号：CN202011120170.5 📄 发布日：2026/07/20

著录项目信息

申请日

2020-10-19

公开号

CN112242449B

公开日

2023-04-18

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_861

IPC 分类号

H01L29_861 , H01L29_868 , H01L29_06 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件碳化硅器件二极管结构

应用场景

电力电子, 新能源汽车, 光伏逆变器, 工业电源, 智能电网

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摘要

本发明涉及一种基于SiC衬底沟槽型MPS二极管元胞结构，属于半导体技术领域。该器件在传统MPS器件的基础上，引入沟槽SiO2介质区和P型保护环，具有优点：(1)在正向导通单极性导电模式下，沟槽SiO2介质区和P型保护环对电子具有阻挡作用，阻碍电子直接流向肖特基接触区，使得电子在P+发射区下方不断地积累，P+N‑结达到开启电压后向N‑低浓度外延层注入空穴，器件进入双极性导电模式从而有效抑制电压回跳现象，最终消除snapback效应。(2)在反向击穿时，沟槽SiO2介质区和P型保护环屏蔽肖特基结的表面电场，将表面最大电场引入体内，使器件在体内发生击穿，从而减小器件的反向漏电流。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230418

✅ 授权

20210205

?? 实质审查的生效：

20210119

📄 公开

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