半导体电存储材料及其制备的柔性电存储器件及制备方法

摘     要：本发明公开了半导体电存储材料及其制备方法与由其制备的柔性电存储器件及制备方法；针对目前电存储材料的环境及高温稳定性差，重复性差，运输和利用过程中易损坏等问题，通过旋涂的方式，将Spiro‑OMeTAD制备为铝/Spiro‑OMeTAD/ITO玻璃三明治结构的阻变式随机存储器（RRAM），成功实现了高性能的电存储行为，其制备过程简单，器件环境及高温稳定性好，重复性好，柔性好等对于电存储技术的研究扩大了材料来源以及增加其实用价值具有重要意义。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2022/06/21	授权
  2019/01/11	实质审查的生效	IPC(主分类): H01L 45/00 专利申请号: 201810864928.2 申请日: 2018.08.01