专利名称：半导体电存储材料及其制备的柔性电存储器件及制备方法      申请号：2018108649282     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体 储材料 存储器件   相似专利 发布日：2023/03/30  
摘要： 本发明公开了半导体电存储材料及其制备方法与由其制备的柔性电存储器件及制备方法；针对目前电存储材料的环境及高温稳定性差，重复性差，运输和利用过程中易损坏等问题，通过旋涂的方式，将Spiro‑OMeTAD制备为铝/Spiro‑OMeTAD/ITO玻璃三明治结构的阻变式随机存储器（RRAM），成功实现了高性能的电存储行为，其制备过程简单，器件环境及高温稳定性好，重复性好，柔性好等对于电存储技术的研究扩大了材料来源以及增加其实用价值具有重要意义。

专利名称：基于一维有机无机杂化聚合物链的电存储器件及其制备方法      申请号：2018103562511     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： 存储器件   相似专利 发布日：2023/03/30  
摘要： 本发明公开了一种基于一维有机无机杂化聚合物链的电存储器件及其制备方法，将二价金属盐水溶液滴加到除氧的2,5‑二氨基‑1,4‑苯二硫醇二盐酸盐有机溶液中，然后调节体系pH值为7；然后在室温条件下搅拌反应6小时，制备有机无机杂化聚合物；将有机无机杂化聚合物溶于有机溶剂，制备有机无机杂化聚合物饱和溶液；将有机无机杂化聚合物溶液涂于基底上，制备有机膜层；然后在有机膜层上制备电极，得到基于一维有机无机杂化聚合物链的电存储器件；具有较好的高温稳定性，制备成三明治结构的有机电存储器件，成功实现了三进制有机电存储行为，并且器件开启电压较低，其制备过程简单，通过改变中心金属离子，成功提高了电存储器件的三进制产率。

专利名称：全无机钙碳矿量子点CsPbBr3电存储器件及其制备方法      申请号：2017111989209     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：C 钙 R P 存储器件   相似专利 发布日：2023/03/30  
摘要： 本发明公开了一种全无机钙碳矿量子点CsPbBr3电存储器件及其制备方法，具有DRAM电存储性能，扩展了钙钛矿量子点在存储器件中的应用，对半导体器件有着良好的应用，制备成的三明治结构的电存储器件，成功实现了DRAM电存储行为，同时制备过程简单，器件稳定性好，具有重复性好、弯曲次数多的特点。本发明提供了柔性电存储器件一种新的设计思路，利用本发明技术方案制备的柔性电存储器件，成功实现了DRAM电存储行为。

专利名称：一种基于拟卤素诱导的二维钙钛矿电存储器件及其制备方法      申请号：2017103453242     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：钙 存储器件   相似专利 发布日：2023/03/30  
摘要： 本发明公开了一种基于拟卤素诱导的二维钙钛矿(CH3NH3)2PbI2(SCN)2的电存储器件及其制备方法；制备包括以下步骤：将甲基碘化胺溶于DMF溶剂中，然后向溶液中加入硫氰酸铅，充分震荡后制备成黄色的钙钛矿溶液；将钙钛矿溶液涂于基底上，制备活性层；然后在活性层上制备电极，得到基于拟卤素诱导的二维钙钛矿(CH3NH3)2PbI2(SCN)2的电存储器件。本发明利用有机胺盐和无机金属化合物通过配位作用形成拟卤素诱导的二维钙钛矿材料，制备成三明治结构的有机电存储器件，成功实现了有机电存储行为，其制备过程简单，三进制电存储行为产率高；因此本发明还公开了上述二维钙钛矿材料在制备电存储器件中的应用。

专利名称：一种四进制电存储器件及其制备方法与四进制存储材料      申请号：201710125092X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：储材料 四 存储器件   相似专利 发布日：2023/03/30  
摘要： 本发明公开了一种四进制电存储器件及其制备方法与四进制存储材料，电存储器件包括基底、有机物膜、电极；所述基底为3,4‑乙烯二氧噻吩的聚合物与聚苯乙烯磺酸的共混物修饰的ITO玻璃。本发明提供的四进制有机电存储器件具有低开启电压，高器件产率；本发明的修饰后的电存储器件突破了传统的二级存储，能够意想不到的实现有机四进制存储，实现了，“0”、“1”、“2”和“3”四进制数据存储，避免了通过分子合成和结构来实现有机多进制的难题，这为实现多进制提供了一个简单而又有效的策略，对于未来的存储领域具有很高的应用价值。

专利名称：一种基于一维有机无机杂化聚合物链的电存储器件及其制备方法      申请号：2016112193199     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： 存储器件   相似专利 发布日：2023/03/30  
摘要： 本发明公开了一种基于一维有机无机杂化聚合物链的电存储器件及其制备方法；制备包括以下步骤：将六水合二氯化镍水溶液滴入胺盐有机溶液中，然后调节体系pH值为7；然后搅拌反应6小时，制备有机无机杂化聚合物；将有机无机杂化聚合物饱和溶液涂于基底上，制备有机膜层；然后在有机膜层上制备电极，得到基于一维有机无机杂化聚合物链的电存储器件。本发明利用有机小分子和无机金属化合物通过配位作用形成一维有机无机杂化聚合物，制备成三明治结构的有机电存储器件，成功实现了有机电存储行为，其制备过程简单，器件环境及高温稳定性好；因此本发明还公开了上述有机无机杂化聚合物在制备电存储器件中的应用。