咨询电话:13280638997
传真:0533-3110363
邮箱:kefu@shizifang.com
著 录 项 目:
专利/申请号: | CN201710125092.X | 专利名称: | 一种四进制电存储器件及其制备方法与四进制存储材料 |
申请日: | 2017-03-03 | 申请/专利权人 | 苏州大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路199号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L45/00分类检索 储材料 四 存储器件专利转让搜索 |
公开/公告日: | 2017-08-22 | 转让价格: | 【平台担保交易】 |
公开/公告号: | CN107086270A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要:本发明公开了一种四进制电存储器件及其制备方法与四进制存储材料,电存储器件包括基底、有机物膜、电极;所述基底为3,4‑乙烯二氧噻吩的聚合物与聚苯乙烯磺酸的共混物修饰的ITO玻璃。本发明提供的四进制有机电存储器件具有低开启电压,高器件产率;本发明的修饰后的电存储器件突破了传统的二级存储,能够意想不到的实现有机四进制存储,实现了,“0”、“1”、“2”和“3”四进制数据存储,避免了通过分子合成和结构来实现有机多进制的难题,这为实现多进制提供了一个简单而又有效的策略,对于未来的存储领域具有很高的应用价值。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2019/08/13 | 授权 | |
2017/09/15 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 45/00 专利申请号: 201710125092.X 申请日: 2017.03.03 |
2017/08/22 | 公开 |
申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
2016107940924 | 【发明】一种掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法 | 2025/04/21 |
201511030291X | 【发明】用于相变存储器的铒掺杂Sn15Sb85基相变薄膜材料及薄膜制备方法 | 2025/04/21 |
2016107888465 | 【发明】氮掺杂改性的相变薄膜材料及其制备方法 | 2025/04/21 |
2017107673843 | 【发明】一种用于相变存储器的Al/Ge10Sb90类超晶格相变薄膜材料及制备方法 | 2025/04/21 |
2017112952697 | 【发明】一种环境友好型Sn-Sb-Ti纳米复合相变薄膜及其制备方法 | 2025/04/21 |
2017107553409 | 【发明】一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法 | 2025/04/21 |
2015103173134 |
【发明】用于高速低功耗相变存储器的Ga |
2025/04/21 |
2015100677007 | 【发明】用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法 | 2025/04/21 |
2016106203738 | 【发明】稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜及其制备方法 | 2025/04/21 |
2016108891713 | 【发明】一种GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 | 2025/04/21 |