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摘 要:本发明涉及一种多晶硅高阻结构及其制作方法。所述多晶硅高阻结构包括衬底、形成于所述衬底上的多晶硅高阻、形成于所述衬底上且环设于所述多晶硅高阻外围与所述多晶硅高阻间隔设置的多晶硅低阻、形成于所述衬底、所述多晶硅高阻与所述多晶硅低阻的钝化层、贯穿所述氧化层且对应所述多晶硅高阻的第一接触孔、贯穿所述钝化层且对应所述多晶硅低阻的第二接触孔、形成于所述钝化层上的金属层,所述金属层包括第一部分及第二部分,所述第一部分经由所述第一接触孔连接所述多晶硅高阻,所述第二部分经由第二接触孔连接多晶硅低阻。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201711367190.0 | 专利名称: | 多晶硅高阻结构及其制作方法 |
申请日: | 2017-12-18 | 申请/专利权人 | 深圳市晶特智造科技有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省深圳市宝安区福永街道和平社区骏丰工业区A3栋一楼 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L23/535搜分类 半导体 集成电路 电阻 晶圆搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |