发明专利已授权

一种铋基杂化半导体材料及其光电探测应用

Name: 一种铋基杂化半导体材料及其光电探测应用
Brand: 济南大学
SKU: 202310939460X
Availability: InStock

📄 申请号：CN202310939460.X 📄 发布日：2026/11/05

著录项目信息

申请日

2023-07-28

公开号

CN116924971B

公开日

2025-09-30

申请人

济南大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C07D213_38

IPC 分类号

C07D213_38 , C07C279_02 , C07C277_00 , G01J1_42 , H10K85_30 ,

技术画像

所属领域

半导体材料半导体材料光电材料杂化材料

应用场景

光电探测, 光电器件, 光学传感, 图像传感, 光通信

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摘要

本发明公开了一种零维铋基有机‑无机杂化半导体的制备方法及其应用。所述的杂化半导体分子式为(H2amp)(G)BiI6，式中的(H2amp)2+是双质子化的4‑(氨基甲基)吡啶阳离子，G+为质子化的胍离子，该材料中的(BiI6)–阴离子是由三价铋离子和碘离子配位形成的零维阴离子。通过选择氧化铋、4‑(氨基甲基)吡啶、碳酸胍、氢碘酸为反应原料，采用溶液法获得化合物(H2amp)(G)BiI6的单晶，可以用于光电探测领域。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种复合型印花导电浆及其制备方法与应用

当前第 / 件

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