发明专利已授权

一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置

📄 申请号：CN201911055590.7 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2019-10-31

公开号

CN110578127B

公开日

2024-05-24

申请人

浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C14_35

IPC 分类号

C23C14_35

技术画像

所属领域

溅射镀膜磁控溅射物理气相沉积真空镀膜设备溅射镀膜

应用场景

半导体制造, 光学镀膜, 工具涂层, 表面处理, 装饰镀膜

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摘要

本发明公开了一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置，包括真空腔室、设置真空腔室顶部的密封盖、穿设在密封盖上的升降台及固定设置在升降台上的助吸装置，所述助吸装置包括吸环、连管及半圆形密封盘，所述吸环上均匀分布吸气孔，所述连管与吸环相连通，所述半圆型密封盘设置在连管端部位置，所述吸环表面相对位置处设有支撑块，所述支撑块上设有紧固螺钉，并通过紧固螺钉与升降台相连。本发明的有益效果是：该装置设计结构合理，使用方便，应用本装置为样品进行磁控溅射镀膜，使镀膜效率得到提高，对薄膜的制造领域具有重要的意义。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种烯烃功能化的IPr·HCl单体及其制备方法与应用

当前第 / 件

一种多功能土柱模型装置及使用方法

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：15 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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