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发明专利
已授权
液相法生长碳化硅的电磁感应频率确定方法、装置和产品
📄 申请号:CN202410606604.4
📄 发布日:2026/07/24
著录项目信息
申请日
2024-05-16
公开号
CN118171546B
公开日
2024-08-13
申请人
西安交通大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
G06F30_23
IPC 分类号
G06F30_23
,
C30B11_00
,
C30B29_36
,
G06F111_10
,
G06F119_08
,
技术画像
所属领域
碳化硅晶体生长
碳化硅晶体生长
半导体材料
电磁感应加热
应用场景
碳化硅单晶衬底制造, 半导体晶体生长设备, 功率半导体器件, 电力电子器件, 新能源汽车
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摘要
本申请提供了一种液相法生长碳化硅的电磁感应频率确定方法、装置和产品,涉及单晶生长技术领域,该方法为:根据液相法生长碳化硅系统,建立电磁感应加热数值模型和数值传热模型;保持电磁感应加热电流不变,将电磁感应频率按照第一梯度依次增大,模拟不同电磁感应频率下的电磁感应加热过程,得到第一模拟结果;根据电磁感应加热效率,确定感应加热高效区间;电磁感应加热效率表示,核心部件的感应热量在总感应热量中的占比;保持坩埚底部中心处温度为目标温度,模拟感应加热高效区间内,按照第二梯度依次增大的电磁感应频率的电磁感应加热过程,得到第二模拟结果;将电磁感应加热效率最高值所对应的电磁感应频率,确定为最佳电磁感应频率。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
基于深度学习的直拉法单晶硅热场估计方法、装置和产品
当前第 / 件
一种单斜晶体各向异性导热率张量的确定方法及装置
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覆盖
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