发明专利已授权

一种大功率高亮度发光二极管芯片及其制造方法

📄 申请号：CN201110271678.X 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2011-09-14

公开号

CN102290513B

公开日

2013-03-06

申请人

青岛理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L33_20

IPC 分类号

H01L33_20 , H01L33_00 ,

技术画像

所属领域

半导体光电器件半导体光电器件发光二极管芯片半导体制造工艺

应用场景

通用照明, 汽车照明, 显示屏背光, 景观照明, 特种照明

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摘要

本发明公开了一种大功率高亮度发光二极管芯片及其制造方法，它包括：一个金属衬底，在金属衬底之上设有嵌入准光子晶体结构的LED外延片，外延片两侧设有钝化保护层；所述外延片自下向上依次设有：金属键合层、金属反射层、电流扩展和P型欧姆接触层、P型半导体层、发光层、嵌入准光子晶体结构的N型半导体层、N型欧姆接触电极；所述钝化保护层位于金属衬底之上外延片两侧。还公开了该芯片的制造方法。本发明同时解决LED芯片的高效取光和有效散热的问题，克服表面了光子晶体LED结构的缺陷，为大功率、高亮度LED的开发提供一种有效解决方案。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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