发明专利已授权

一种利用原位溅射结合离子束刻蚀的抛光装置及抛光方法

📄 申请号：CN201810297952.2 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-04-04

公开号

CN108385110B

公开日

2019-07-12

申请人

西安工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C14_46

IPC 分类号

C23C14_46

技术画像

所属领域

离子束加工离子束加工超精密抛光溅射技术

应用场景

半导体制造, 光学元件加工, 精密加工, 表面工程

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摘要

本发明涉及离子束技术领域，具体涉及一种利用原位溅射结合离子束刻蚀的抛光装置及抛光方法。其包括传递室、刻蚀室、溅射沉积室以及设于传递室与刻蚀室，刻蚀室与溅射沉积室之间的插板阀，传递室、刻蚀室和溅射沉积室内设有三者之间传送工件的工件传送装置。以及应用此设备发明的一种抛光方法，其流程为：首先在传递室装载工件，其次在刻蚀室对工件离子束清洗，再次在溅射沉积室对工件溅射沉积一层薄膜层（牺牲层），进而在刻蚀室对工件进行离子束修正抛光，最后通过传递室取出工件，实现光学元件的抛光。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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