发明专利已授权

一种磷酸二氢钾类晶体光学表面平坦化的方法

📄 申请号：CN201710265058.2 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2017-04-21

公开号

CN106835035B

公开日

2019-01-18

申请人

西安工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C14_34

IPC 分类号

C23C14_34 , C23C14_10 , C23C14_18 , C30B33_00 , C30B29_14 ,

技术画像

所属领域

光学加工光学加工晶体精密加工表面平坦化

应用场景

精密光学制造, 激光器件, 光学元件加工, 非线性光学晶体, 光电信息

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摘要

本发明涉及光学元件表面平坦化方法。本发明主要针对单点金刚石车床车削后的磷酸二氢钾（KH2PO4又称KDP）非线性光学晶体材料作为加工对象，采用离子束溅射沉积的方法在磷酸二氢钾光学晶体材料的光学表面沉积一层硅或者二氧化硅或者二氧化硅与硅的复合薄膜，再经真空冷却后在磷酸二氢钾光学晶体材料表面形成一层表面粗糙度较低的硅薄膜或二氧化硅薄膜或二者组成的复合薄膜，薄膜层的上表面为平坦化表面。本发明在磷酸二氢钾表面形成一层机械性能良好、性质稳定、表面粗糙度低且致密的硅薄膜或二氧化硅薄膜或二者的复合薄膜，工艺过程简单，在低温真空环境就能在磷酸二氢钾表面获得较好的平坦化效果，对后期磷酸二氢钾类晶体的离子束抛光作了良好的铺垫。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

新型特性可变式计量V型球阀及其计量方法

当前第 / 件

一种应用于陆相盆地储层反演的曲线频率融合方法

同领域国内专利 · IPC: (C23C14_34)

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