发明专利已授权

一种基于多源共蒸技术的薄膜监测制备装置及方法

📄 申请号：CN202110649248.0 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-06-10

公开号

CN113355646A

公开日

2021-09-07

申请人

西华师范大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C14_54

IPC 分类号

C23C14_54 , C23C14_32 ,

技术画像

所属领域

蓄电池板栅薄膜制备技术真空镀膜技术膜厚监测与控制

应用场景

半导体制造, 光学薄膜制备, 太阳能电池制造, 显示器件制造

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摘要

本发明公开一种基于多源共蒸技术的薄膜监测制备装置及方法。该装置的工件盘固定于真空室的顶部且可沿其中心旋转；离子源设置于真空室的底部，且离子源的中心与工件盘的中心位于同一直线上；蒸发源至少包括两个阻蒸源和一个电子枪蒸发源；蒸发源均设置于真空室的底部，且等间距设置于离子源的四周；蒸发源均配有挡板；制备薄膜时，光学膜厚监测系统实时监测工件盘上任一位置所加载的基片上薄膜的光学厚度，并反馈给控制中心；控制中心用于薄膜制备参数的输入以及薄膜制备过程的控制。该方法遵循阻蒸源制备高、中折射率级别膜层，电子枪蒸发源制备低折射率级别膜层的制备原则。通过本发明能够实现多成分多级别复合光学薄膜的制备与光学膜厚监测。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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议价

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：23 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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