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发明专利
已授权
一种基于微纳加工技术的高亮度LED芯片制备方法
📄 申请号:CN202311308812.8
📄 发布日:2026/07/22
著录项目信息
申请日
2023-10-11
公开号
CN117059713B
公开日
2024-02-02
申请人
深圳市领耀东方科技股份有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01L33_00
IPC 分类号
H01L33_00
,
H01L33_06
,
H01L33_22
,
技术画像
所属领域
微纳加工技术
半导体光电子器件
微纳加工工艺
LED芯片制造
微纳加工技术
应用场景
通用照明, 显示背光源, 汽车车灯, 投影光源, 特种照明
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摘要
本发明涉及高亮度LED芯片制备方法技术领域,具体的说,涉及一种基于微纳加工技术的高亮度LED芯片制备方法。先通过对InGaN基片进行微纳加工,使其经过电化学刻蚀,增加其发光面积,提高光的提取效率;随后以InGaN为衬底,在其表面采用射频磁溅射系统,制备出ZnO薄膜、ZnMgO薄膜和NiO薄膜,ZnO具有更高的激子束缚能和廉价的材料价格,在ZnO薄膜和NiO薄膜间的ZnMgO薄膜比ZnO具有更大的禁带宽度,可以起到载流子限域作用,提高LED芯片的亮度。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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