发明专利 已授权

一种基于SVM的IGBT芯片焊接层空洞定位方法

📄 申请号:CN202211143931.8 📄 发布日:2026/07/22

著录项目信息

申请日
2022-09-20
公开号
CN115544952B
公开日
2026-06-26
申请人
三峡大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

IGBT芯片制造, 功率模块封装, 半导体无损检测, 质量检测, 工业自动化

摘要

一种基于SVM的IGBT芯片焊接层空洞定位方法,首先通过建立IGBT模块的电热仿真模型与SPICE电路模型,通过耦合得到场路耦合模型后将场路耦合模型中焊接层均分为多个故障区域,然后对每个故障区域分别进行空洞故障模拟并基于联合仿真计算得到IGBT芯片的影响因子,再构建故障区域编号‑影响因子数据集,以该数据集中的影响因子作为输入数据、故障区域编号作为输出数据,采用非线性能力较强的SVM算法解析输入数据与输出数据之间的映射关系,从而实现对IGBT焊接层空洞定位。本方法以关断时间、结温、集电极与发射极的压降差作为影响因子,共同判断空洞的位置,使空洞定位结果更准确。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:68 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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