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发明专利
已授权
一种适用于真空环境下的金属纳米材料蒸着装置及方法
📄 申请号:CN202110409701.0
📄 发布日:2026/07/09
著录项目信息
申请日
2021-04-16
公开号
CN113249688B
公开日
2024-03-22
申请人
杭州电子科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
C23C14_24
IPC 分类号
C23C14_24
,
C23C14_16
,
技术画像
所属领域
真空蒸镀
真空蒸镀
纳米材料制备
薄膜沉积技术
应用场景
纳米薄膜制备, 表面功能涂层, 电子器件制造, 光学镀膜, 金属纳米结构构筑
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摘要
本发明公开了一种适用于真空环境下的金属纳米材料蒸着装置和方法,包含上、下两个真空腔体,腔体之间设置有真空阀门;在上真空腔体内,主要设置有垂直操纵杆、高纯度金属棒、气体导入装置,气体导入装置通过针型阀连接丙醇,高纯度金属棒通过导线连接外部电源,垂直操纵杆上端通过限位器安装于上真空腔体上,限位器控制垂直操纵杆垂直移动并固定,垂直操纵杆下端开设有水平卡槽用于放置硅基底试样托;在下真空腔体内,主要设置有水平操纵杆、特制台架,特制台架底部为弹簧装置,特制台架上也开有水平卡槽用于放置目标基底试样托,水平操纵杆用于取放硅基底试样托以及目标基底试样托。该装置可使金属原子能以较低动能进行二次蒸着;设备成本、能耗较低。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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