发明专利 已授权

一种DS连轧制备钽靶坯的方法

📄 申请号:CN202311170369.2 📄 发布日:2026/09/09

著录项目信息

申请日
2023-09-12
公开号
CN117144308B
公开日
2025-02-07
申请人
燕山大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

所属领域

应用场景

半导体制造, 物理气相沉积, 集成电路, 平板显示, 电子器件

摘要

本发明公开了一种DS连轧制备钽靶坯的方法,包括如下步骤:S1、对钽铸锭进行热锻,锻造过程中进行中间退火,形成长方形钽板;S2、对长方形钽板进行DS连轧,形成钽靶坯坯料;S3、对钽靶坯坯料进行板带校平,然后进行真空热处理。本发明制备的钽靶坯在厚度方向上无织构梯度问题,组织分布更加均匀,晶粒取向随机分布,结合热处理工艺,晶粒尺寸均匀并且更加细小,相比于同步轧制晶粒细化30%以上;简化多道工序,并且代替人工旋转靶坯轧制,大幅提高生产效率,适用于大规模批量生产,靶坯直径不受铸锭直径限制,可制备出更大直径的靶坯;溅射性能稳定,大幅提高钽薄膜厚度均匀性,可广泛用于电子器件、半导体行业等镀膜领域。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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