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发明专利
已授权
一种DS连轧制备钽靶坯的方法
📄 申请号:CN202311170369.2
📄 发布日:2026/05/07
著录项目信息
申请日
2023-09-12
公开号
CN117144308B
公开日
2025-02-07
申请人
燕山大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
C23C14_34
IPC 分类号
C23C14_34
,
C21D9_00
,
B21J5_00
,
C22F1_02
,
C22F1_18
,
技术画像
所属领域
钽靶材
钽靶材
金属轧制
难熔金属材料
应用场景
半导体制造, 物理气相沉积, 集成电路, 平板显示, 电子器件
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摘要
本发明公开了一种DS连轧制备钽靶坯的方法,包括如下步骤:S1、对钽铸锭进行热锻,锻造过程中进行中间退火,形成长方形钽板;S2、对长方形钽板进行DS连轧,形成钽靶坯坯料;S3、对钽靶坯坯料进行板带校平,然后进行真空热处理。本发明制备的钽靶坯在厚度方向上无织构梯度问题,组织分布更加均匀,晶粒取向随机分布,结合热处理工艺,晶粒尺寸均匀并且更加细小,相比于同步轧制晶粒细化30%以上;简化多道工序,并且代替人工旋转靶坯轧制,大幅提高生产效率,适用于大规模批量生产,靶坯直径不受铸锭直径限制,可制备出更大直径的靶坯;溅射性能稳定,大幅提高钽薄膜厚度均匀性,可广泛用于电子器件、半导体行业等镀膜领域。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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