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本发明公开了一种DS连轧制备钽靶坯的方法，包括如下步骤：S1、对钽铸锭进行热锻，锻造过程中进行中间退火，形成长方形钽板；S2、对长方形钽板进行DS连轧，形成钽靶坯坯料；S3、对钽靶坯坯料进行板带校平，然后进行真空热处理。本发明制备的钽靶坯在厚度方向上无织构梯度问题，组织分布更加均匀，晶粒取向随机分布，结合热处理工艺，晶粒尺寸均匀并且更加细小，相比于同步轧制晶粒细化30%以上；简化多道工序，并且代替人工旋转靶坯轧制，大幅提高生产效率，适用于大规模批量生产，靶坯直径不受铸锭直径限制，可制备出更大直径的靶坯；溅射性能稳定，大幅提高钽薄膜厚度均匀性，可广泛用于电子器件、半导体行业等镀膜领域。