发明专利已授权

用于制备BiGaO3薄膜的真空反应腔

📄 申请号：CN201710579316.4 📄 发布日：2026/04/10

著录项目信息

申请日

2015-11-11

公开号

CN107475688B

公开日

2019-05-03

申请人

南通大学技术转移中心有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C16_40

IPC 分类号

C23C16_40 , C23C16_52 ,

技术画像

所属领域

真空镀膜设备真空镀膜设备薄膜沉积半导体制造设备

应用场景

薄膜材料制备, 半导体器件制造, 铁电存储器, 光电器件, 电子功能材料

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摘要

一种用于制备BiGaO3薄膜的真空反应腔，包括有多个分隔空间，分别用于通入铋前驱体气体、镓前驱体气体、氧前驱体气体、惰性气体；BiGaO3薄膜材料采用前驱体自限制性表面吸附反应得到，化学吸附反应在真空反应腔中进行。通过采用本发明的制备BiGaO3薄膜材料的方法，可以实现BiGaO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiGaO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于各种气体的通入是连续不断、且流速恒定，薄膜的厚度仅取决于衬底转过的次数，工艺变得极为简单、可靠。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

制备铝镓酸铋薄膜的气体脉冲序列

当前第 / 件

用于制备组分渐变的铝镓酸铋薄膜的装置

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：96 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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