发明专利 已授权

用于制备BiGaO3薄膜的真空反应腔

📄 申请号:CN201710579316.4 📄 发布日:2026/04/10

著录项目信息

申请日
2015-11-11
公开号
CN107475688B
公开日
2019-05-03
申请人
南通大学技术转移中心有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

薄膜材料制备, 半导体器件制造, 铁电存储器, 光电器件, 电子功能材料

摘要

一种用于制备BiGaO3薄膜的真空反应腔,包括有多个分隔空间,分别用于通入铋前驱体气体、镓前驱体气体、氧前驱体气体、惰性气体;BiGaO3薄膜材料采用前驱体自限制性表面吸附反应得到,化学吸附反应在真空反应腔中进行。通过采用本发明的制备BiGaO3薄膜材料的方法,可以实现BiGaO3薄膜生长厚度的精确可控,且BiGaO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于各种气体的通入是连续不断、且流速恒定,薄膜的厚度仅取决于衬底转过的次数,工艺变得极为简单、可靠。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:161 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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