发明专利已授权

制备铝镓酸铋薄膜的气体脉冲序列

📄 申请号：CN201710579276.3 📄 发布日：2026/04/10

著录项目信息

申请日

2015-11-11

公开号

CN107447202B

公开日

2019-05-14

申请人

南通大学技术转移中心有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C16_40

IPC 分类号

C23C16_40 , C23C16_52 , C23C16_455 ,

技术画像

所属领域

薄膜制备薄膜制备气相沉积功能材料

应用场景

半导体器件, 光电器件, 集成电路, 传感器

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摘要

一种制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜的气体脉冲序列，由有机铋源气体脉冲、有机铝源气体脉冲、有机镓源气体脉冲、氧前驱体气体脉冲、惰性气体脉冲组成，在一个生长周期中，各气体脉冲数量为4的倍数且不小于12，有机铋源气体脉冲和有机铝源气体脉冲的数量之和等于氧前驱体脉冲的数量，有机铋源气体脉冲、有机铝源气体脉冲和氧前驱体气体脉冲的数量之和等于惰性气体脉冲的数量，在任意一个有机铋源气体脉冲或氧前驱体气体脉冲或有机铝气体脉冲的之前或之后，都具有一个惰性气体脉冲；在任一个有机铋源气体脉冲或有机铝气体脉冲的次邻近处，都还具有一个氧前驱体气体脉冲。可以实现Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜生长厚度的精确可控。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

制备BiGaO3薄膜材料的气体脉冲序列

当前第 / 件

用于制备BiGaO3薄膜的真空反应腔

同领域国内专利 · IPC: (C23C16_40)

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