专利名称：基于多指栅结构的太赫兹辐射源器件及其调控方法      申请号：2019110931816     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：发明   关键词：半导体器件 数据传输 信号传输   相似专利 发布日：2025/05/28  
摘要： 本发明公开了一种基于多指栅结构的太赫兹辐射源器件及其调控方法。该太赫兹辐射源器件包括沟道层、沟道提供层、源极和漏极，该沟道层中感生有二维电子气(2DEG)沟道；且在沟道提供层上交替排布有两组栅极，当在该两组栅极上分别施加不同电压时，则位于该两组栅极下方的沟道区域及位于任意两个相邻栅极之间区域正下方的沟道区域中的2DEG浓度将存在差异，从而在这些沟道区域之间形成2DEG浓度差界面，继而若在源、漏极之间加载电压，将在沟道中构建周期性浓度差的驻波振荡结构，由此产生太赫兹辐射。本发明的太赫兹辐射源器件具有易于激发、高功率、可调制和便于小型化等优点，辐射频率可以在0.3THz-1.9THz范围内调整，轻便、易于集成，适于在多个领域广泛应用。

专利名称：一种热盘温度调整方法及一种热盘装置      申请号：2021101348214     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体器件 集成电路 光学器件 半导体芯片 晶圆加工 芯片制造 光刻   相似专利 发布日：2025/03/03  
摘要： 本发明公开了一种热盘温度调整方法，包括：获取加热装置的温度值T1；获取腔室顶部的温度值T2；控制系统根据线宽与温度值T1和温度值T2的关系来调节所述加热装置，以获取目标线宽。本发明中的加热装置的温度值T1与线宽之间存在线性关系，腔室顶部的温度值T2与线宽之间也存在线性关系。控制系统根据两个线性关系来调节加热装置。本发明根据加热装置的温度值T1和腔室顶部的温度值T2来对热盘进行双向温度补偿。双向温度补偿相对于单向温度补偿，提高了对热盘温度调节的准确度，从而能够获取目标线宽。本发明还公开了一种热盘装置。

专利名称：套刻误差量测标记结构及其制程方法和套刻误差量测方法      申请号：2020111498266     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体器件 光学器件 集成电路 半导体芯片 芯片制造 晶圆加工 光刻   相似专利 发布日：2025/03/03  
摘要： 本申请提供一种套刻误差量测标记结构及其制程方法和套刻误差量测方法，涉及半导体制造技术领域。本申请在层叠设置且套刻标记区域位置重叠的显影光刻层、顶部光刻层、中间光刻层及底部光刻层中，通过使显影光刻层、顶部光刻层及底部光刻层在套刻标记区域中投影位置重叠的区域范围内的光栅标记的延伸方向一致，使中间光刻层与其他光刻层在套刻标记区域中投影位置重叠的区域范围内的光栅标记的延伸方向相交，从而降低除显影光刻层与顶部光刻层以外的其他已制备的光刻层产生非必要衍射光信号的可能性，使套刻误差量测时采集到的衍射光信号尽量仅包括显影光刻层与顶部光刻层所产生的衍射光信号，提升套刻误差的计算精准度。

专利名称：一种用于半导体芯片生产的浸蚀装置      申请号：2024101335932     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体器件 半导体芯片制造加工 半导体 芯片   相似专利 发布日：2024/08/13  
摘要： 本发明公开了一种用于半导体芯片生产的浸蚀装置，涉及半导体芯片生产相关技术领域。该用于半导体芯片生产的浸蚀装置，包括浸蚀箱，所述浸蚀箱的内部固定连接有隔板，所述隔板的底部设有转动浸蚀机构。该用于半导体芯片生产的浸蚀装置，通过转动浸蚀机构的设置，将半导体通过进料管倒下，由于滤筒的外侧设置有转动门和弹簧，当半导体全部进入滤筒内，启动电机二带动滤筒转动，由于滤筒外壁上设置有挡块，因此转动门无法向外侧打开，这样在半导体转动时不会从滤筒内流出，半导体在滤筒内随着滤筒转动过程中浸蚀液对半导体进行全方位的浸蚀，不会出现某一面或某一处接触到浸蚀箱内壁导致无法浸蚀的情况。

专利名称：源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管及制造方法      申请号：2021110145312     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体器件 集成电路制造 隧道晶体管 编程晶体管 金属 半导体接触 芯片 断电编程导电保持 数字逻辑电路 源漏电极辅助 双向开关传输   相似专利 发布日：2025/05/21  
摘要： 本发明提出一种源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管及制造方法，对比现有技术，无需额外供电的编程栅，仅通过单个栅电极即可实现对其开关控制功能，简化了单元结构的复杂度，易于单元结构互连和集成度的提升。本发明所述的源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管，位于编程隧穿层以下区域具有左右对称的结构特征，可互换电极a和可互换电极b可彼此互换，实现本发明的双向开关传输功能。利用对漏电极和源电极之间施加电势差对本发明提出的源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管的可编程浮栅进行编程，在断电下可依然可以长时间记录保持导电类型。

专利名称：高集成中央双向肖特基结型单管反相器及其制造方法      申请号：2021111329224     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体器件 集成电路设计制造 高集成设计 降低反相器功耗 信号反相 低功耗 高集成中央肖特基结   相似专利 发布日：2025/05/21  
摘要： 高集成中央双向肖特基结型单管反相器及其制造方法，属于集成电路设计和制造技术领域，涉及一种适用于高集成、高性能的具有中央肖特基结结构特征和由单个晶体管所组成；只需要一个晶体管即可实现反相器的基本功能，在同等工艺尺寸下，进一步提升了反相器的集成度。采用中央双向肖特基结设计，有助于有效隔离源漏两侧半导体内载流子互通，避免了隧道电流导致的泄漏电流的产生，有效降低了反相器的功耗。

专利名称：一种二硫化钼场效应晶体管及其制备方法和应用      申请号：2020107483732     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体器件 集成电路   相似专利 发布日：2025/06/16  
摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种二硫化钼场效应晶体管及其制备方法和应用，该二硫化钼场效应晶体管包括依次设置的衬底层、第一金属层、第一栅介质层与二硫化钼半导体薄膜层，二硫化钼半导体薄膜层两侧分别设有源接触电极与漏接触电极，第二、第三栅介质层以及第二金属层，第二金属层穿过第一栅介质层、第二和第三栅介质层与第一金属层接触。本发明实施例通过设置第一金属层与第二金属层分别作为底栅和顶栅来同时控制二硫化钼沟道，增强对沟道的静电控制能力，有助于进一步缩小尺寸，同时提升器件低功耗性能和高频性能表现，解决了现有二硫化钼场效应晶体管结构在低功耗性能和高频性能方面存在不足的问题。

专利名称：一种半导体封装结构及封装方法      申请号：2019106620937     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体器件 半导体制造 半导体结构   相似专利 发布日：2025/03/11  
摘要： 本发明公开了一种半导体封装结构及封装方法，包括加热座，所述加热座的为半圆柱体结构，且加热座上设置有位置调节组件，所述加热座的一侧设置有真空吸附组件，所述加热座的顶部通过焊接固定有抽气管道，且抽气管道伸入加热座的内部，所述位置调节组件包括横向推钮、纵向推钮、横向推杆、纵向推杆、第一弹簧、第二弹簧、第一凸块和第二凸块，所述横向推钮的一端连接有横向推杆，所述横向推杆穿过加热座，所述横向推杆的一端连接有第一弹簧，且第一弹簧的另一端与加热座的侧方内壁相连接，所述纵向推钮的一端连接有纵向推杆，所述纵向推杆的一端连接有第二弹簧，本发明，具有无需在不同位置开真空孔和运行效率高的特点。