专利名称：一种激光二极管器件      申请号：2021215130770     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：半导体器件 电子元件 光电子器件   相似专利 发布日：2025/03/04  
摘要： 本实用新型公开了一种激光二极管器件，包括管座、管帽和引脚，所述管帽的顶端设有增光连接机构，所述增光连接机构包括连接环、增光片、固定板、固定杆、压缩弹簧和活动卡板，所述管座的底面设有散热机构，所述散热机构包括散热片和螺纹套筒，所述管座的顶面固定安装有对称的支撑板，且支撑板位于管帽的两侧，所述支撑板的外侧壁上端部位固定安装有连接杆。本实用新型所述的一种激光二极管器件，属于二极管领域，通过设置的散热机构和散热孔的配合使用，可及时的将激光二极管内部的热量导出外界并散发，以避免内部温度过高对激光二极管的使用造成影响，并提高了激光二极管的使用寿命。

专利名称：一种电路板半导体焊接定位装置      申请号：2024108165913     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：发明   关键词：半导体器件 电子元件   相似专利 发布日：2024/11/07  
摘要： 本发明公开了一种电路板半导体焊接定位装置，涉及电器焊接领域，解决了异形电路板的固定问题和双面焊锡的问题。该电路板半导体焊接定位装置，包括包括固定顶板、主机底板和空心支撑杆，还包括异形电路板固定机构和第二焊接电烙铁，异形电路板固定机构还包括有：异形工作台面、侧方位固定组件、加固组件和反面焊锡组件，反面焊锡组件安装在侧方位固定组件的底部，反面焊锡组件能够同时焊接电路板的反面，反面焊锡组件包括第一焊接电烙铁，通过异形电路板固定机构加强半导体被焊接物的固定效果，可以做到移动半导体被焊接物的作用，该固定机构相比于吸盘的固定效果和固定效果更好，且异形工作台面可以承受更大的冲击力。

专利名称：一种热盘温度调整方法及一种热盘装置      申请号：2021101348214     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体器件 集成电路 光学器件 半导体芯片 晶圆加工 芯片制造 光刻   相似专利 发布日：2025/03/03  
摘要： 本发明公开了一种热盘温度调整方法，包括：获取加热装置的温度值T1；获取腔室顶部的温度值T2；控制系统根据线宽与温度值T1和温度值T2的关系来调节所述加热装置，以获取目标线宽。本发明中的加热装置的温度值T1与线宽之间存在线性关系，腔室顶部的温度值T2与线宽之间也存在线性关系。控制系统根据两个线性关系来调节加热装置。本发明根据加热装置的温度值T1和腔室顶部的温度值T2来对热盘进行双向温度补偿。双向温度补偿相对于单向温度补偿，提高了对热盘温度调节的准确度，从而能够获取目标线宽。本发明还公开了一种热盘装置。

专利名称：套刻误差量测标记结构及其制程方法和套刻误差量测方法      申请号：2020111498266     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体器件 光学器件 集成电路 半导体芯片 芯片制造 晶圆加工 光刻   相似专利 发布日：2025/03/03  
摘要： 本申请提供一种套刻误差量测标记结构及其制程方法和套刻误差量测方法，涉及半导体制造技术领域。本申请在层叠设置且套刻标记区域位置重叠的显影光刻层、顶部光刻层、中间光刻层及底部光刻层中，通过使显影光刻层、顶部光刻层及底部光刻层在套刻标记区域中投影位置重叠的区域范围内的光栅标记的延伸方向一致，使中间光刻层与其他光刻层在套刻标记区域中投影位置重叠的区域范围内的光栅标记的延伸方向相交，从而降低除显影光刻层与顶部光刻层以外的其他已制备的光刻层产生非必要衍射光信号的可能性，使套刻误差量测时采集到的衍射光信号尽量仅包括显影光刻层与顶部光刻层所产生的衍射光信号，提升套刻误差的计算精准度。

专利名称：一种用于半导体芯片生产的浸蚀装置      申请号：2024101335932     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体器件 半导体芯片制造加工 半导体 芯片   相似专利 发布日：2024/08/13  
摘要： 本发明公开了一种用于半导体芯片生产的浸蚀装置，涉及半导体芯片生产相关技术领域。该用于半导体芯片生产的浸蚀装置，包括浸蚀箱，所述浸蚀箱的内部固定连接有隔板，所述隔板的底部设有转动浸蚀机构。该用于半导体芯片生产的浸蚀装置，通过转动浸蚀机构的设置，将半导体通过进料管倒下，由于滤筒的外侧设置有转动门和弹簧，当半导体全部进入滤筒内，启动电机二带动滤筒转动，由于滤筒外壁上设置有挡块，因此转动门无法向外侧打开，这样在半导体转动时不会从滤筒内流出，半导体在滤筒内随着滤筒转动过程中浸蚀液对半导体进行全方位的浸蚀，不会出现某一面或某一处接触到浸蚀箱内壁导致无法浸蚀的情况。

专利名称：源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管及制造方法      申请号：2021110145312     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体器件 集成电路制造 隧道晶体管 编程晶体管 金属 半导体接触 芯片 断电编程导电保持 数字逻辑电路 源漏电极辅助 双向开关传输   相似专利 发布日：2025/01/15  
摘要： 本发明提出一种源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管及制造方法，对比现有技术，无需额外供电的编程栅，仅通过单个栅电极即可实现对其开关控制功能，简化了单元结构的复杂度，易于单元结构互连和集成度的提升。本发明所述的源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管，位于编程隧穿层以下区域具有左右对称的结构特征，可互换电极a和可互换电极b可彼此互换，实现本发明的双向开关传输功能。利用对漏电极和源电极之间施加电势差对本发明提出的源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管的可编程浮栅进行编程，在断电下可依然可以长时间记录保持导电类型。

专利名称：高集成中央双向肖特基结型单管反相器及其制造方法      申请号：2021111329224     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体器件 集成电路设计制造 高集成设计 降低反相器功耗 信号反相 低功耗 高集成中央肖特基结   相似专利 发布日：2025/01/15  
摘要： 高集成中央双向肖特基结型单管反相器及其制造方法，属于集成电路设计和制造技术领域，涉及一种适用于高集成、高性能的具有中央肖特基结结构特征和由单个晶体管所组成；只需要一个晶体管即可实现反相器的基本功能，在同等工艺尺寸下，进一步提升了反相器的集成度。采用中央双向肖特基结设计，有助于有效隔离源漏两侧半导体内载流子互通，避免了隧道电流导致的泄漏电流的产生，有效降低了反相器的功耗。

专利名称：一种半导体封装结构及封装方法      申请号：2019106620937     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体器件 半导体制造 半导体结构   相似专利 发布日：2025/03/11  
摘要： 本发明公开了一种半导体封装结构及封装方法，包括加热座，所述加热座的为半圆柱体结构，且加热座上设置有位置调节组件，所述加热座的一侧设置有真空吸附组件，所述加热座的顶部通过焊接固定有抽气管道，且抽气管道伸入加热座的内部，所述位置调节组件包括横向推钮、纵向推钮、横向推杆、纵向推杆、第一弹簧、第二弹簧、第一凸块和第二凸块，所述横向推钮的一端连接有横向推杆，所述横向推杆穿过加热座，所述横向推杆的一端连接有第一弹簧，且第一弹簧的另一端与加热座的侧方内壁相连接，所述纵向推钮的一端连接有纵向推杆，所述纵向推杆的一端连接有第二弹簧，本发明，具有无需在不同位置开真空孔和运行效率高的特点。