专利名称：一种贴片型三极管      申请号：2022222673189     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：半导体器件 电子元器件 贴片封装技术   相似专利 发布日：2025/09/05  

应用场景：电子设备主板制造;便携式消费电子产品组装;自动化SMT生产线;高密度PCB布局优化;工业控制模块紧凑设计

专利名称：具有采样的带隙参考的CMOS图像感测      申请号：2022104927177     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体器件 集成电路设计 图像传感器技术 模拟电路设计   相似专利 发布日：2025/09/18  

应用场景：消费电子摄像头模组校准;工业机器视觉系统标定;医疗成像设备辐射剂量控制;安防监控图像质量优化;科学仪器光谱分析采样

专利名称：一种红外LED光源      申请号：2024111763128     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体器件 发光二极管   相似专利 发布日：2025/06/25  
摘要： 本发明公开了一种红外LED光源，包括光源本体，光源本体的下方设置有清洁组件，清洁组件用于对光源本体的表面进行清洁，且清洁组件的内部设置有联动组件，清洁组件的下方设置有第一调节组件，第一调节组件用于控制光源本体转动以及联动组件运行，第一调节组件的下方设置有第二调节组件，第二调节组件用于调节光源本体的角度；本发明通过设置清洁组件和联动组件，达到对光源本体的表面进行清洁的目的，通过设置第一调节组件和第二调节组件，达到对光源本体的角度进行调节的目的，避免由于该光源本体的使用角度不便调节和表面附着灰尘而导致降低光源本体的实用性能。

专利名称：套刻误差量测标记结构及其制程方法和套刻误差量测方法      申请号：2020111498266     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体器件 光学器件 集成电路 半导体芯片 芯片制造 晶圆加工 光刻   相似专利 发布日：2025/03/03  
摘要： 本申请提供一种套刻误差量测标记结构及其制程方法和套刻误差量测方法，涉及半导体制造技术领域。本申请在层叠设置且套刻标记区域位置重叠的显影光刻层、顶部光刻层、中间光刻层及底部光刻层中，通过使显影光刻层、顶部光刻层及底部光刻层在套刻标记区域中投影位置重叠的区域范围内的光栅标记的延伸方向一致，使中间光刻层与其他光刻层在套刻标记区域中投影位置重叠的区域范围内的光栅标记的延伸方向相交，从而降低除显影光刻层与顶部光刻层以外的其他已制备的光刻层产生非必要衍射光信号的可能性，使套刻误差量测时采集到的衍射光信号尽量仅包括显影光刻层与顶部光刻层所产生的衍射光信号，提升套刻误差的计算精准度。

专利名称：一种用于半导体芯片生产的浸蚀装置      申请号：2024101335932     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体器件 半导体芯片制造加工 半导体 芯片   相似专利 发布日：2024/08/13  
摘要： 本发明公开了一种用于半导体芯片生产的浸蚀装置，涉及半导体芯片生产相关技术领域。该用于半导体芯片生产的浸蚀装置，包括浸蚀箱，所述浸蚀箱的内部固定连接有隔板，所述隔板的底部设有转动浸蚀机构。该用于半导体芯片生产的浸蚀装置，通过转动浸蚀机构的设置，将半导体通过进料管倒下，由于滤筒的外侧设置有转动门和弹簧，当半导体全部进入滤筒内，启动电机二带动滤筒转动，由于滤筒外壁上设置有挡块，因此转动门无法向外侧打开，这样在半导体转动时不会从滤筒内流出，半导体在滤筒内随着滤筒转动过程中浸蚀液对半导体进行全方位的浸蚀，不会出现某一面或某一处接触到浸蚀箱内壁导致无法浸蚀的情况。

专利名称：源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管及制造方法      申请号：2021110145312     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体器件 集成电路制造 隧道晶体管 编程晶体管 金属 半导体接触 芯片 断电编程导电保持 数字逻辑电路 源漏电极辅助 双向开关传输   相似专利 发布日：2025/09/18  

应用场景：低功耗逻辑电路优化;高频信号处理模块;智能传感器接口电路;柔性电子设备开发;物联网边缘计算节点

专利名称：高集成中央双向肖特基结型单管反相器及其制造方法      申请号：2021111329224     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体器件 集成电路设计制造 高集成设计 降低反相器功耗 信号反相 低功耗 高集成中央肖特基结   相似专利 发布日：2025/09/18  

应用场景：高密度集成电路板卡的信号处理模块;便携式电子设备的电源管理单元;新能源逆变系统中的能量转换节点;物联网设备的低功耗逻辑控制电路

专利名称：一种全MOS管的基准参考电路      申请号：2020113319947     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体器件 集成电路设计 模拟电路 基准电压源 功率管理   相似专利 发布日：2025/09/04  

应用场景：电源管理芯片;传感器信号调理模块;ADC/DAC转换器校准;便携式电子设备稳压供电;工业自动化控制系统的精密基准生成