发明专利已授权

一种基于正离子注入的增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

📄 申请号：CN202110179118.5 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-02-08

公开号

CN112736140B

公开日

2023-06-16

申请人

金陵科技学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_778

IPC 分类号

H01L29_778 , H01L29_10 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件高电子迁移率晶体管宽禁带半导体技术

应用场景

射频通信, 5G基站, 功率转换, 新能源汽车, 数据中心电源

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摘要

本发明提供了一种基于正离子注入的增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括：衬底、成核层、非掺杂GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层，以及在AlGaN势垒层上分别引出的源极、栅极和漏极；与此同时，在栅极下方的GaN沟道层中设置一个正离子注入区。一方面，当栅极下方的GaN沟道层注入正离子之后，相当于在能带上增加了势垒高度，拉升了势阱，从而实现了沟道内二维电子气(2DEG)的耗尽，成为增强型器件；另一方面，正离子注入可以有效降低AlGaN势垒层的表面损伤和缺陷，减少表面态和缺陷，有效抑制电流崩塌，从而提高器件的输出电流，最终改善器件的输出功率和可靠性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种Y掺杂Sb基纳米相变存储薄膜材料及其制备方法和应用

当前第 / 件

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