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摘 要:本发明公开了一种带有电荷可调型场板的P型LDMOS结构,包括:N型半导体衬底,N型半导体衬底上设有P型漂移区和N型阱,在N型阱上设有P型源区、N型接触区和栅氧化层,在P型漂移区上设有P型漏区和场氧化层,其特征在于,所述场氧化层表面设有多个电荷可调型场板,每个电荷可调型场板上均连接有金属感应层,在N型接触区和P型源区上连接有源极金属,所述源极金属完全覆盖所有的金属感应层。该结构可以使器件整个漂移区获得均匀的表面横向电场分布,具有很高的横向耐压能力,可以在保持高击穿电压的条件下提高器件的漂移区掺杂浓度,从而获得低的导通电阻。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201711034819.X | 专利名称: | 一种带有电荷可调型场板的P型LDMOS结构 |
申请日: | 2017-10-30 | 申请/专利权人 | 济南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省济南市南辛庄西路336号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/06搜分类 半导体搜索 |
公开/公告日: | 2020-11-10 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN107887426B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |